[發明專利]一種像素結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201811203556.5
• 申請日: 2018-10-16
• 公開（公告）號: CN109411335B
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發明（設計）人: 金利波;朱翀煜;岳歡
• 申請（專利權）人: 上海奕瑞光電子科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L27/146;H01L29/786;H01L31/118
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種像素結構的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

S1：提供一基板，并于所述基板的上表面由下至上依次形成第一金屬層和N型重摻雜層；

S2：基于第一掩膜板，對所述N型重摻雜層和所述第一金屬層進行刻蝕，使所述第一金屬層于所述基板上形成數據線、漏極、源極和底電極；其中，所述漏極和所述源極所在區域為開關管區域，所述底電極所在區域為二極管區域，并且所述漏極和所述數據線電連接，所述源極和所述底電極電連接；

S3：于S2所得結構的上表面形成有源材料層，并基于第二掩膜板，對所述有源材料層和所述N型重摻雜層進行刻蝕，使所述N型重摻雜層于所述開關管區域形成第一接觸區和第二接觸區、于所述二極管區域形成N型區，同時使所述有源材料層于所述開關管區域形成有源區、于所述二極管區域形成本征區；

S4：于S3所得結構的上表面由下至上依次形成P型重摻雜層和頂電極材料層，并基于第三掩膜板，對所述頂電極材料層和所述P型重摻雜層進行刻蝕，使所述P型重摻雜層于所述二極管區域形成P型區，所述頂電極材料層于所述二極管區域形成頂電極；其中，所述N型區、所述本征區和所述P型區構成PIN結；

S5：于S4所得結構的上表面形成絕緣層，并基于第四掩膜板，對所述絕緣層進行刻蝕，以于所述二極管區域上方形成暴露出所述頂電極的過孔；以及

S6：于S5所得結構的上表面形成第二金屬層，并基于第五掩膜板，對所述第二金屬層進行刻蝕，使所述第二金屬層于所述開關管區域形成柵電極以構成頂柵結構開關管、于所述二極管區域上方形成填充所述過孔的公共電極、于所述開關管區域外側形成與所述柵電極電連接的掃描線；其中，所述公共電極和所述頂電極電連接。

2.根據權利要求1所述的像素結構的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括S7：于S6所得結構的上表面形成保護層的步驟。

3.根據權利要求2所述的像素結構的制作方法，其特征在于，采用涂布工藝形成所述保護層。

4.根據權利要求1所述的像素結構的制作方法，其特征在于，S2中形成所述數據線、漏極、源極和底電極的具體方法包括：

S2-1a：于所述N型重摻雜層的上表面旋涂光刻膠，并基于所述第一掩膜板，對所述光刻膠進行曝光、顯影，以形成圖形化的光刻膠層；

S2-2a：以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，依次對所述N型重摻雜層和所述第一金屬層進行刻蝕，使所述第一金屬層于所述基板上形成數據線、漏極、源極和底電極；及

S2-3a：去除所述圖形化的光刻膠層。

5.根據權利要求1所述的像素結構的制作方法，其特征在于，S2中形成所述數據線、漏極、源極和底電極的具體方法包括：

S2-1b：于所述N型重摻雜層的上表面旋涂光刻膠，并基于所述第一掩膜板，對所述光刻膠進行曝光、顯影，以形成圖形化的光刻膠層；

S2-2b：以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，對所述N型重摻雜層進行刻蝕，以將所述圖形化的光刻膠層中的光刻圖形轉移至所述N型重摻雜層中；

S2-3b：去除所述圖形化的光刻膠層；

S2-4b：以刻蝕后的所述N型重摻雜層為掩膜，對所述第一金屬層進行刻蝕，使所述第一金屬層于所述基板上形成數據線、漏極、源極和底電極。

6.根據權利要求1所述的像素結構的制作方法，其特征在于，S3中形成所述第一接觸區、所述第二接觸區、所述N型區、所述有源區和所述本征區的具體方法包括：

S3-1a：于所述有源材料層的上表面旋涂光刻膠，并基于所述第二掩膜板，對所述光刻膠進行曝光、顯影，以形成圖形化的光刻膠層；

S3-2a：以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，依次對所述有源材料層和所述N型重摻雜層進行刻蝕，使所述N型重摻雜層于所述開關管區域形成第一接觸區和第二接觸區、于所述二極管區域形成N型區，同時使所述有源材料層于所述開關管區域形成有源區、于所述二極管區域形成本征區；及

S3-3a：去除所述圖形化的光刻膠層。