[發明專利]陣列基板防腐蝕保護方法、保護結構、陣列基板及顯示屏

在審

• 申請號: 201811203397.9
• 申請日: 2018-10-16
• 公開（公告）號: CN109378297A
• 公開（公告）日: 2019-02-22
• 發明（設計）人: 陳建倫;徐陽;劉力明
• 申請（專利權）人: 信利（惠州）智能顯示有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立;黃啟法

本發明公開一種陣列基板防腐蝕保護方法、保護結構、陣列基板及顯示屏。該陣列基板防腐蝕保護方法，包括：在基板基底形成金屬導電膜層；在所述金屬導電膜層之上形成導電氧化層，使得形成底層為金屬而頂層為氧化物的膜層結構，其中所述導電氧化層包括氧化銦錫ITO。本發明提供的方案，能防止陣列基板中的孔腐蝕和走線腐蝕，提高產品良率。

技術領域

本發明涉及平板顯示技術領域，具體涉及一種陣列基板防腐蝕保護方法、保護結構、陣列基板及顯示屏。

背景技術

隨著顯示技術的發展，出現了各種各樣的顯示器產品，例如LCD(Liquid CrystalDisplay，液晶顯示器)和OLED(Organic Light Emitting Diode，有機發光二極管)顯示器等，其中TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)液晶顯示器產品在目前市場中也占有重要位置。

TFT液晶顯示器生產過程中，TFT顯示屏的孔腐蝕和走線腐蝕是一直困擾本行業的難題，其機理沒有被完全熟知。由于顯示屏中的陣列基板的導電走線需要通過過孔與ITO(氧化銦錫)連接才能與驅動IC和FPC(Flexible Printed Circuit，柔性電路板)等外界連接，從而不可避免地出現水汽、腐蝕液體和氣體從過孔進入，形成孔腐蝕和走線腐蝕，從而嚴重影響制程良率和產品可靠性。導電走線一般是指在TFT陣列基板中，用于傳送電信號的導電線路。參見圖1，圖1是現有技術中導電走線腐蝕示意圖。現有技術中，金屬導電膜層例如MoAlMo(鉬鋁鉬)等頂層的Mo/Ti(鉬/鈦)會受到脫膜液等腐蝕，而受到脫膜液腐蝕的Mo在過孔干刻后，Mo會被刻蝕且坑洼不平。

因此，如何解決TFT顯示屏陣列基板中的孔腐蝕和走線腐蝕是一個急需解決的問題。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于提出一種陣列基板防腐蝕保護方法、保護結構、陣列基板及顯示屏，能防止陣列基板中的孔腐蝕和走線腐蝕，提高產品良率。

根據本發明的一個方面，提供一種陣列基板防腐蝕保護方法，包括：

在基板基底形成金屬導電膜層；

在所述金屬導電膜層之上形成導電氧化層，使得形成底層為金屬而頂層為氧化物的膜層結構，其中所述導電氧化層包括氧化銦錫ITO。

優選的，所述在所述金屬導電膜層之上形成導電氧化層，包括：

采用濺射法在所述金屬導電膜層之上形成導電氧化層。

優選的，所述氧化銦錫ITO的膜厚為50-2000唉。

優選的，所述在所述金屬導電膜層之上形成導電氧化層之后，還包括：

執行光刻膠涂布、顯影成形、刻蝕和去除光刻膠的步驟，其中所述刻蝕包括進行ITO刻蝕和進行金屬導電膜層刻蝕。

優選的，所述金屬導電膜層包括：

純Mo或其合金與Al或其合金組成的膜層結構，

純Ti或其合金與Al或其合金組成的膜層結構，

純Mo或其合金與Cu或其合金組成的膜層結構，或者，

純Ti或其合金與Cu或其合金組成的膜層結構。

根據本發明的另一個方面，提供一種陣列基板防腐蝕保護結構：

所述保護結構包括底層為金屬導電膜層和頂層為導電氧化層的膜層結構；其中，

所述金屬導電膜層位于基板基底之上；

所述導電氧化層位于所述金屬導電膜層之上，其中所述導電氧化層包括氧化銦錫ITO。

優選的，所述氧化銦錫ITO的膜厚為50-2000唉。