[發明專利]一種含有應變補償結構的GaN基量子阱LED外延結構

在審

• 申請號: 201811203117.4
• 申請日: 2018-10-16
• 公開（公告）號: CN109244202A
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發明（設計）人: 賈志剛;盧太平;董海亮;梁建;馬淑芳;賈偉;李天保;許并社
• 申請（專利權）人: 太原理工大學
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32
• 代理公司: 太原晉科知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 14110
• 代理人: 任林芳;趙江艷

1.一種含有應變補償結構的GaN基量子阱LED外延結構，其特征在于，包括由下而上依次設置的藍寶石襯底層、GaN低溫形核層、U-GaN層、N-GaN層、含有應變補償結構的InGaN/GaN量子阱有源區、電子阻擋層和P-GaN層，其中，所述含有應變補償結構的InGaN/GaN量子阱有源區包括底壘層、頂壘層、位于底壘層和頂壘層之間的多個InGaN量子阱層和設置在各個InGaN量子阱層之間的中間壘層，所述中間壘層包括應變補償層，所述應變補償層為晶格常數小于GaN的壘層。

2.根據權利要求1所述的一種含有應變補償結構的GaN基量子阱LED外延結構，其特征在于，所述中間壘層還包括緊鄰所述應變補償層并分別位于其上方和下方的GaN上壘層和GaN下壘層。

3.根據權利要求1所述的一種含有應變補償結構的GaN基量子阱LED外延結構，其特征在于，所述應變補償層的材料為AlN、AlGaN及AlGaInN三種材料中的任意一種，或者任意幾種的組合。

4.根據權利要求1所述的一種含有應變補償結構的GaN基量子阱LED外延結構，其特征在于，所述頂壘層和底壘層為GaN壘層。

5.根據權利要求1所述的一種含有應變補償結構的GaN基量子阱LED外延結構，其特征在于，所述頂壘層和底壘層包括GaN壘層和設置在GaN壘層中間的應變補償層。

6.根據權利要求1所述的一種含有應變補償結構的GaN基量子阱LED外延結構，其特征在于，所述電子阻擋層為P型AlGaN單層或P型AlGaN/GaN超晶格。

7.根據權利要求1所述的一種含有應變補償結構的GaN基量子阱LED外延結構，其特征在于，所述LED結構的發光波長為藍光、綠光到黃光范圍內的任一波長。