[發明專利]一種用于二維材料反復轉移的貼膜及制備、使用方法

在審

• 申請號: 201811202904.7
• 申請日: 2018-10-16
• 公開（公告）號: CN109454944A
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發明（設計）人: 張瑩瑩;夏凱倫
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: B32B7/12
• 分類號: B32B7/12;B32B27/06;B32B27/36;B32B9/02;B32B9/00;B32B9/04;B32B37/24;B32B37/00;C01B32/194;C23C16/01
• 代理公司: 北京中政聯科專利代理事務所(普通合伙) 11489
• 代理人: 陳超

1.一種用于二維材料反復轉移的貼膜，其特征在于，包括：基膜(1)和設置于所述基膜(1)表面的聚合物層(2)；

所述基膜(1)與所述聚合物(2)接觸的表面具有粘性，所述基膜(1)的粘性加熱到預設溫度時失效；

所述聚合物層(2)可溶于有機溶液，且在所述有機溶液揮發后形成固體薄膜。

2.根據權利要求1所述的貼膜，其特征在于，所述聚合物層(2)的材料為聚甲基丙烯酸甲酯、石蠟或松香。

3.根據權利要求1所述的貼膜，其特征在于，所述聚合物層(2)的厚度為30nm-2000nm。

4.根據權利要求1所述的貼膜，其特征在于，所述基膜(1)為熱解離膠帶。

5.一種用于二維材料反復轉移的貼膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S110，在表面光滑的平整基底的表面涂覆聚合物層(2)；

S120，將基膜(1)具有粘性的一面覆蓋于所述聚合物層(2)上表面；

S130，將設置有所述聚合物層(2)和所述基膜(1)的所述表面光滑的平整基底置于真空腔體中，排除所述表面光滑的平整基底和所述基膜(1)之間的氣泡；

S140，揭去所述基膜(1)，得到所述貼膜。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，

所述在表面光滑的平整基底的表面涂覆聚合物層(2)采用旋涂、刮涂、輥涂、浸涂或噴涂工藝。

7.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，

所述表面光滑的平整基底的材料為石英、硅片、玻璃片或云母。

8.一種用于二維材料反復轉移的貼膜的使用方法，其特征在于，包括如下步驟：

S210，提供位于初始基底上的二維材料；

S220，將所述貼膜覆蓋于所述初始基底表面待轉移的所述二維材料上；

S230，將覆蓋有所述貼膜的所述初始基底置于真空腔體內，排除所述初始基底與所述貼膜之間的氣泡；

S240，去除所述初始基底，得到帶有所述二維材料的所述貼膜；

S250，將帶有所述二維材料的所述貼膜覆蓋于目標基底表面；

S260，將帶有所述貼膜的所述第三基底置于真空腔體中，排除所述目標基底表面和所述貼膜之間的氣泡；

S270，對帶有所述貼膜的所述目標基底進行加熱至預設溫度，去除所述貼膜中的基膜(1)；

S280，將所述目標基底置于有機溶液中，去除所述貼膜中的聚合物層(2)，得到帶有所述二維材料的目標基底。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，

所述初始基底的材料為無機物材料，揭除并得到帶有所述二維材料的所述貼膜。

10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，

所述初始基底的材料為金屬材料，將覆蓋有所述貼膜的所述初始基底置于金屬材料刻蝕劑中，去除所述初始基底，得到帶有所述二維材料的所述貼膜。