[發(fā)明專利]半導(dǎo)體襯底的制備方法及半導(dǎo)體襯底

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811202711.1
• 申請日: 2018-10-16
• 公開（公告）號: CN109326516A
• 公開（公告）日: 2019-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邱宇航;周穎;洪紀(jì)倫;吳宗祐;林宗賢
• 申請（專利權(quán)）人: 德淮半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L21/30
• 分類號: H01L21/30;H01L21/324
• 代理公司: 上海盈盛知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;陳麗麗

1.一種半導(dǎo)體襯底的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供第一襯底；

形成極性層于所述第一襯底表面，所述極性層用于吸收微波能量并將其轉(zhuǎn)化為熱能；

形成第二襯底于所述極性層表面，所述第二襯底背離所述極性層的表面用于形成器件結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體襯底的制備方法，其特征在于，所述極性層的材料為SiON、SiOC、SiC、SiGe、磷硅玻璃中的一種或幾種的組合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體襯底的制備方法，其特征在于，形成第二襯底于所述極性層表面的具體步驟包括：

提供第二襯底；

鍵合所述第二襯底與所述極性層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體襯底的制備方法，其特征在于，形成第二襯底于所述極性層表面之后，還包括如下步驟：

減薄所述第一襯底和/或所述第二襯底。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體襯底的制備方法，其特征在于，形成第二襯底于所述極性層表面之后，還包括如下步驟：

形成器件結(jié)構(gòu)于所述第二襯底背離所述極性層的表面；

對所述極性層和形成有所述器件結(jié)構(gòu)的所述第二襯底進(jìn)行微波退火處理。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體襯底的制備方法，其特征在于，對所述極性層和形成有所述器件結(jié)構(gòu)的所述第二襯底進(jìn)行微波退火處理之后，還包括如下步驟：

去除所述第一襯底與所述極性層。

7.一種半導(dǎo)體襯底，其特征在于，包括：

第一襯底；

極性層，覆蓋于所述第一襯底表面，用于吸收微波能量并將其轉(zhuǎn)化為熱能；

第二襯底，覆蓋于所述極性層背離所述第一襯底的表面，所述第二襯底背離所述極性層的表面用于形成器件結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體襯底，其特征在于，所述極性層的材料為SiON、SiOC、SiC、SiGe、磷硅玻璃中的一種或幾種的組合。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體襯底，其特征在于，所述第一襯底與所述第二襯底均為硅襯底。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體襯底，其特征在于，所述極性層的厚度為0.1μm～5μm。