[發明專利]一種紅外探測器及其制備方法在審
| 申請號： | 201811202493.1 | 申請日： | 2018-10-16 |
| 公開（公告）號： | CN109192808A | 公開（公告）日： | 2019-01-11 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 中山科立特光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/108 | 分類號： | H01L31/108;H01L31/18;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 528458 廣東省中*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 紅外探測器 肖特基結 制備 紅外光 半導體層 勢壘電壓 襯底層 金屬棒 金屬膜 退火 光電轉化率 電場分布 貴金屬膜 紅外區域 紅外信號 一次完成 寬頻域 吸收性 探測 檢測 申請 | ||
1.一種紅外探測器，其特征在于：包括襯底層（1），設置于襯底層（1）上的半導體層（2），所述半導體層（2）上方還設置有貴金屬膜（3），該金屬膜（3）上設置有多個傾斜的排列的金屬棒（4）。
2.如權利要求1所述的一種紅外探測器，其特征在于：所述半導體層（2）為N型半導體材料制成。
3.如權利要求1或2所述的一種紅外探測器，其特征在于：所述半導體層（2）為氧化鋅制成。
4.如權利要求1所述的一種紅外探測器，其特征在于：所述金屬棒（4）的傾斜角度是20°～30°。
5.如權利要求1所述的一種紅外探測器，其特征在于：所述金屬棒（4）的間距為400nm～600nm。
6.如權利要求1所述的一種紅外探測器，其特征在于：所述金屬棒（4）的直徑為80nm～120nm。
7.如權利要求1所述的一種紅外探測器，其特征在于：所述半導體層（2）、貴金屬膜（3）均與外接電極（5）電連接，用于檢測半導體層（2）與貴金屬膜（3）構成的肖特基結的勢壘電壓。
8.如權利要求1所述的一種紅外探測器的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
a、準備襯底層；
b、在襯底層上制備半導體層；
c、繼續在半導體層上制備貴金屬膜；
d、繼續在貴金屬膜上制備金屬棒；
e、在半導體層和金屬膜上制備電極。
9.如權利要求8所述的一種紅外探測器的制備方法，其特征在于：所述步驟b、在襯底層上制備半導體層的方法是采用分子束外延技術或磁控濺射法。
10.如權利要求8所述的一種紅外探測器的制備方法，其特征在于：所述步驟c、繼續在半導體層上制備貴金屬膜；步驟d、繼續在貴金屬膜上制備金屬棒均采用電子束蒸發法。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
