[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811201892.6
• 申請(qǐng)日: 2018-10-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110034077B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-09-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邱詩(shī)家;呂彥儒;吳文洲;陳南誠(chéng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 聯(lián)發(fā)科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L23/66;H01Q1/22;H01Q15/00
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 李慶波

1.一種半導(dǎo)體封裝，其特征在于，包括：

基板，所述基板上具有至少一個(gè)天線層和在天線層下面的接地反射層；

射頻晶粒，設(shè)置在所述基板上、所述基板中或所述基板下；

介質(zhì)層，設(shè)置在所述基板的所述天線層上；以及

頻率選擇表面結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述介質(zhì)層上；

多個(gè)支撐柱，在所述介質(zhì)層中；

其中，所述多個(gè)支撐柱至少圍繞所述天線層和所述頻率選擇表面結(jié)構(gòu)的一側(cè)，所述天線層與所述頻率選擇表面結(jié)構(gòu)分別在所述介質(zhì)層的兩側(cè)并且所述多個(gè)支撐柱位于所述天線層與所述頻率選擇表面結(jié)構(gòu)之間的所述介質(zhì)層內(nèi)，以及所述多個(gè)支撐柱用于調(diào)整天線場(chǎng)型。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述天線層電連接到所述射頻晶粒。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述頻率選擇表面結(jié)構(gòu)包括具有相同形狀和尺寸的金屬圖案的二維周期性數(shù)組。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述金屬圖案的二維周期性數(shù)組具有固定間距。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述頻率選擇表面結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述天線層上方，所述天線層至少有一部分與所述頻率選擇表面結(jié)構(gòu)重疊。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述頻率選擇表面結(jié)構(gòu)直接設(shè)置在所述介質(zhì)層的上表面上。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述接地反射層是金屬層。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述半導(dǎo)體封裝是扇出型晶圓級(jí)封裝，并且所述基板是重分布層基板。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述半導(dǎo)體封裝是倒裝芯片芯片級(jí)封裝，并且所述基板是封裝基板。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述半導(dǎo)體封裝是嵌入式晶粒封裝，并且所述基板是有機(jī)層壓基板。

11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，還包括：多個(gè)焊球，設(shè)置在基板的下表面上。

12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，所述介質(zhì)層包括填充材料或氣隙。

13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其特征在于，還包括：上基板，設(shè)置在所述介質(zhì)層上；所述頻率選擇表面結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述上基板上。

14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述支撐柱的為金屬材料或非金屬材料。