[發明專利]音叉型振蕩器及封裝體在審
| 申請號: | 201811201682.7 | 申請日: | 2018-10-16 |
| 公開(公告)號: | CN109698679A | 公開(公告)日: | 2019-04-30 |
| 發明(設計)人: | 蓮池義和;川西信吾 | 申請(專利權)人: | 日本電波工業株式會社 |
| 主分類號: | H03H3/04 | 分類號: | H03H3/04;H03H3/02 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 楊文娟;臧建明 |
| 地址: | 日本東京涉谷區笹塚1-*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝體 音叉型振蕩器 頻率調整部 配線圖案 振蕩臂 音叉 絕緣電阻 頻率調整 外部連接 激發 遮蔽 基部 配線 收容 惡化 | ||
本發明提供一種音叉型振蕩器以及封裝體,難以產生由頻率調整所引起的絕緣電阻的惡化。音叉型振蕩器包括:具有基部及兩根振蕩臂的音叉片、激發用電極、收容音叉片的封裝體、作為將激發用電極與外部連接的配線的一部分的配線圖案、以及設置在振蕩臂的前端的頻率調整部。配線圖案的位于頻率調整部附近的部分,設置在封裝體的由頻率調整部遮蔽的區域中。
技術領域
本發明涉及一種在封裝體內的配線圖案的配置中具有特征的音叉型振蕩器及其封裝體。
背景技術
作為音叉型振蕩器的一種,有音叉型晶體振蕩器,進而,作為音叉型振蕩器的一種,有使用陶瓷封裝體。例如,在專利文獻1的圖3中表示其一例。在此例的情況下,陶瓷封裝體具有:收容音叉型晶體片的凹部。在此凹部的底面上,設置有電極墊或配線圖案。另外,在此陶瓷封裝體的底板上設置有貫穿配線,在外側的底面上設置有外部連接端子。
所述凹部內的電極墊與音叉型晶體片的激發用電極,通過導電性接著劑來連接。另外,外部連接端子與激發用電極,是經由貫穿配線、配線圖案、電極墊及導電性接著劑來連接。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1:日本專利特開2017-76910號公報
發明內容
[發明所要解決的問題]
然而,當制造音叉型晶體振蕩器時,以此振蕩器按規定的頻率振蕩的方式進行頻率調整。作為其典型的方法,有如下的方法:事先在音叉的兩根振蕩臂的前端,設置包含金等的金屬的錘膜(weight film),對此錘膜照射例如氬的離子來將錘膜的一部分去除,而與目標頻率一致。此方法是所謂的離子銑削(ion milling)法。
但是,伴隨音叉型晶體振蕩器的小型化,形成在陶瓷封裝體中的所述配線圖案間的距離也越來越變窄。同樣地,作為配線圖案的一部分的貫穿配線的露出至所述封裝體表面上的部分,和與其相反極性的配線圖案之間也越來越變窄。另外,在作為陶瓷封裝體的一種的使用環縫焊接(seam ring welding)或金錫焊接等技術進行密封的類型的封裝體中,在收納晶體片的所述凹部的周圍的堤部的頂面上設置接縫環或金錫環。在此種狀況時,存在如下的情況:在所述離子銑削時被去除的頻率調整用的錘膜,進而,封裝體底面的配線圖案的金屬成分,再次附著在封裝體底面的配線圖案間。同樣地,存在所述金屬成分再次附著在封裝體底面的配線圖案與接縫環或金錫環之間的情況。若產生此種再次附著,則存在音叉型晶體振蕩器的絕緣電阻惡化,并損害音叉型晶體振蕩器的可靠性的情況。
本申請是鑒于此種情況而成,因此,本申請的目的在于提供一種難以產生由頻率調整所引起的絕緣電阻的惡化的音叉型振蕩器、及適合用于制造此音叉型振蕩器的封裝體。
[解決問題的技術手段]
為了謀求達成此目的,根據本申請的音叉型振蕩器,包括:音叉片,具有基部及從此基部延長的至少兩根振蕩臂;激發用電極,設置在此音叉片上;封裝體,收容所述音叉片;配線圖案,設置在此封裝體的收容所述音叉片的面上,且為將所述激發用電極與外部連接的配線的一部分;以及頻率調整部,設置在所述振蕩臂的前端;其中,所述配線圖案的位于所述頻率調整部附近的部分,設置在所述封裝體的由所述頻率調整部遮蔽的區域中。即,所述部分設置在所述封裝體的處于所述頻率調整部的下方的區域中。
或者,所述配線圖案設置在所述封裝體的比所述頻率調整部更靠近基部的一側的區域中。
或者,所述配線圖案設置在所述封裝體的比所述頻率調整部更靠近基部的一側、且至少一部分由所述音叉片遮蔽的區域中,即音叉片的下方的區域中。
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