[發(fā)明專利]微波快速反應(yīng)的形狀記憶納米復(fù)合材料及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811199125.6 | 申請(qǐng)日： | 2018-10-15 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN109337293B | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-02-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李偉;陳壘;劉校培;武燕;張馳;宋書(shū)文;周航 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 河南機(jī)電職業(yè)學(xué)院 |
| 主分類號(hào)： | C08L63/00 | 分類號(hào)： | C08L63/00;C08K3/04;C08K7/00 |
| 代理公司： | 北京盛凡智榮知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11616 | 代理人： | 劉曉暉 |
| 地址： | 450000 河南省鄭州市*** | 國(guó)省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 微波 快速反應(yīng) 形狀 記憶 納米 復(fù)合材料 及其 制備 方法 | ||
1.微波快速反應(yīng)的形狀記憶納米復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，原材料為碳納米管晶片、HF溶液和碳納米管陣列浸入用環(huán)氧基形狀記憶高聚物/丙酮溶液，其制備方法，包括以下步驟：
S1，一次浸泡：將碳納米管晶片浸入HF溶液中10分鐘，從硅晶片中釋放得到碳納米管陣列；
S2，洗滌：將S1中浸泡后的碳納米管陣列用蒸餾水反復(fù)洗滌，并在70℃下進(jìn)行干燥；
S3，二次浸泡：將S2中洗滌后的碳納米管陣列浸入環(huán)氧基形狀記憶高聚物/丙酮溶液池中，當(dāng)環(huán)氧基形狀記憶高聚物/丙酮溶液滲入碳納米管陣列，且碳納米管中的氣泡完全耗盡后，從池中拾取出碳納米管陣列，并進(jìn)行干燥和固化處理；
S4，拋光：拋光S3中固體碳納米管的表面，以除去突出的碳納米管尖端，得到碳納米管規(guī)則排布的、環(huán)氧基形狀記憶納米復(fù)合材料；
所述S3中浸泡后的碳納米管陣列的干燥溫度為70℃；
所述S3中浸泡且干燥后的碳納米管陣列的固化條件為：在150℃的溫度下固化6小時(shí)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波快速反應(yīng)的形狀記憶納米復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，所述S3中環(huán)氧基形狀記憶高聚物/丙酮溶液池中的溶液是以1g環(huán)氧基形狀記憶高聚物：1ml丙酮的比例配制的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波快速反應(yīng)的形狀記憶納米復(fù)合材料的制備方法，其特征在于，所述S4中得到的碳納米管規(guī)則排布的、環(huán)氧基形狀記憶納米復(fù)合材料的尺寸為10mm×10mm×0.5mm。
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