[發明專利]晶圓工藝條件的控制系統及控制方法

有效

• 申請號: 201811197905.7
• 申請日: 2018-10-15
• 公開（公告）號: CN109473379B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 林敏偉;張凌越;姜波
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

1.一種晶圓工藝條件的控制系統，用于化學氣相沉積工藝中晶圓工藝條件的選擇控制，其特征在于，包括：

采集模塊，從數據庫中采集所述晶圓對應的光罩透光率，所述晶圓為同一批次的多個表面積不同的晶圓；

處理模塊，根據所述光罩透光率，并結合所述晶圓在反應爐中所處的位置，分析判斷所述晶圓的工藝參數；

輸出模塊，對外輸出所述晶圓的工藝參數。

2.如權利要求1所述的晶圓工藝條件的控制系統，其特征在于，所述工藝參數包括時間和溫度。

3.如權利要求2所述的晶圓工藝條件的控制系統，其特征在于，在所述化學氣相沉積工藝中，所述晶圓表面沉積薄膜的厚度與所述晶圓對應的光罩透光率呈線性負相關。

4.如權利要求3所述的晶圓工藝條件的控制系統，其特征在于，所述處理模塊從所述數據庫中采集得到所有所述晶圓對應的光罩透光率，統計得到光罩透光率范圍，對所述光罩透光率范圍進行區間劃分，并對不同區間的光罩透光率相對應的晶圓分別設置其工藝參數。

5.如權利要求4所述的晶圓工藝條件的控制系統，其特征在于，所述處理模塊從所述數據庫中采集得到所述晶圓對應的光罩透光率，判斷所述晶圓對應的光罩透光率的所屬區間，并選擇所述所屬區間對應的工藝參數作為所述晶圓的工藝參數。

6.如權利要求5所述的晶圓工藝條件的控制系統，其特征在于，若所述光罩透光率越大，則所述晶圓的化學沉積時間越長，或者所述晶圓的化學沉積溫度越高。

7.如權利要求1或6所述的晶圓工藝條件的控制系統，其特征在于，若所述晶圓越靠近所述反應爐的頂端，則所述晶圓的化學沉積時間越長，或者所述晶圓的化學沉積溫度越高。

8.一種晶圓工藝條件的控制方法，用于化學氣相沉積工藝中同一批晶圓在反應爐內的工藝參數的選擇控制，其特征在于，所述晶圓的工藝條件控制方法包括步驟：

采集同一批所述晶圓對應的光罩透光率信息，統計得到光罩透光率范圍，同一批所述晶圓中的多個晶圓的表面積不同；

對所述光罩透光率范圍進行區間劃分，并對不同區間的光罩透光率相對應的晶圓分別設置其工藝參數；以及

針對每個所述晶圓，判斷所述晶圓對應的光罩透光率的所屬區間，并由此確定所述晶圓的工藝參數。

9.如權利要求8所述的晶圓工藝條件的控制方法，其特征在于，在所述化學氣相沉積工藝中，所述晶圓表面沉積薄膜的厚度與所述晶圓對應的光罩透光率呈線性負相關，若所述光罩透光率越大，則所述晶圓的化學沉積時間越長，或者所述晶圓的化學沉積溫度越高。

10.如權利要求9所述的晶圓工藝條件的控制方法，其特征在于，所述晶圓的工藝條件控制方法還包括步驟：

結合所述晶圓在反應爐中所處的位置對所述晶圓的工藝參數進行調整，若所述晶圓越靠近所述反應爐的頂端，則所述晶圓的化學沉積時間越長，或者所述晶圓的化學沉積溫度越高。