[發明專利]一種無機非鉛銫鉍鹵Cs3 有效
| 申請號： | 201811195530.0 | 申請日： | 2018-10-15 |
| 公開（公告）號： | CN109052470B | 公開（公告）日： | 2020-11-06 |
| 發明（設計）人： | 史志鋒;李營;梁文晴;馬壯壯;張飛 | 申請（專利權）人： | 鄭州大學 |
| 主分類號： | C01G29/00 | 分類號： | C01G29/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 鄭州慧廣知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 41160 | 代理人： | 董曉慧 |
| 地址： | 450000 河南*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 無機 非鉛銫鉍鹵 cs base sub | ||
1.一種無機非鉛銫鉍鹵Cs3Bi2X9鈣鈦礦微米盤的合成方法，其特征在于：包括以下步驟：
(1)對襯底進行清洗處理；
(2)按照3:2的摩爾比例配制CsX和BiX3的混合粉末，X＝Cl、Br或I；
(3)將清洗好的襯底和配制好的混合粉末放入雙溫區水平管式爐中：將清洗好的襯底放入水平管式爐低溫區的陶瓷舟上，配制好的混合粉末放入水平管式爐高溫區的陶瓷舟上，水平管式爐的高溫區和低溫區的距離為20cm；
(4)設定水平管式爐的溫度、保溫時間和壓強：設定水平管式爐高溫區和低溫區的溫度和保溫時間，高溫區的溫度為580～620℃，低溫區的溫度為350～400℃，高溫區和低溫區的保溫時間均為30分鐘；
(5)通入高純氬氣作為載氣，制得Cs3Bi2X9鈣鈦礦微米盤。
2.根據權利要求1所述的一種無機非鉛銫鉍鹵Cs3Bi2X9鈣鈦礦微米盤的合成方法，其特征在于：步驟(1)中，將襯底分別在丙酮、乙醇和去離子水中超聲清洗10分鐘，然后用高純氮氣吹干。
3.根據權利要求1所述的一種無機非鉛銫鉍鹵Cs3Bi2X9鈣鈦礦微米盤的合成方法，其特征在于：步驟(5)中，通入高純氬氣作為載氣，高純氬氣流量設定為100sccm，通過調節水平管式爐內的氣體抽速控制爐內的壓強，實現無機非鉛銫鉍鹵Cs3Bi2X9鈣鈦礦微米盤的可控生長。
4.根據權利要求1所述的一種無機非鉛銫鉍鹵Cs3Bi2X9鈣鈦礦微米盤的合成方法，其特征在于：步驟(4)中，Cs3Bi2Cl9：高溫區溫度為580℃，低溫區溫度為350℃；Cs3Bi2Br9：高溫區溫度為600℃，低溫區溫度為370℃；Cs3Bi2I9：高溫區溫度為620℃，低溫區溫度為400℃。
5.根據權利要求1所述的一種無機非鉛銫鉍鹵Cs3Bi2X9鈣鈦礦微米盤的合成方法，其特征在于：步驟(5)中，控制水平管式爐內的壓強，Cs3Bi2Cl9：150托；Cs3Bi2Br9：200托；Cs3Bi2I9：180托。
6.一種無機非鉛銫鉍鹵Cs3Bi2X9鈣鈦礦微米盤，其特征在于：采用權利要求1-5之一所述的合成方法制備。
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