[發明專利]一種玫瑰金鍍層及其制備工藝

在審

• 申請號: 201811194919.3
• 申請日: 2018-10-12
• 公開（公告）號: CN109136844A
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發明（設計）人: 楊富國;陳文靜;周鑒;張洪華;陳育茹;李旭濤;溫薛鑫;丁晨錦
• 申請（專利權）人: 佛山科學技術學院
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/16;C23C14/32;C23C14/35;C23C18/36;C23C28/00
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 王國標

1.一種玫瑰金鍍層，其特征在于，包括金屬基體，所述金屬基體為銅，金屬基體的表面為玫瑰金鍍層，在玫瑰金鍍層與金屬基體之間具有過渡層，所述過渡層包括TiCN層、Ti層和Ni層。

2.根據權利要求1所述的一種玫瑰金鍍層，其特征在于，所述過渡層從上到下依次為TiCN層、Ti層和Ni層，TiCN層玫瑰金鍍層貼合，Ni層與金屬基體貼合與。

3.一種玫瑰金鍍層的制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：

(1)前處理：將金屬基體表面打磨拋光后，依次放入酒精和丙酮中超聲清洗10～15min；

(2)化學鍍鎳：將清洗后的金屬基體放入化學鍍鎳液中進行化學鍍鎳處理，其中化學鍍鎳液溫度為80～92℃、pH值為8～10，化學鍍鎳處理10min結束后，將金屬基體放入流動的去離子水中進行清洗處理，清洗時間15s以上，放入真空干燥箱中充分干燥后迅速放入鍍膜機真空室準備下一步處理，其中鍍膜機真空室本底真空度為5.0×10^-3Pa～8.0×10^-3Pa，加熱至200～300℃，保溫時間20～30min；

(3)離子清洗：向鍍膜機真空室通入Ar氣，其壓力為0.2Pa，開啟偏壓電源，電壓260V，占空比78，輝光放電清洗20～30min；偏壓降低至190V，開啟離子源離子清洗20～30min，然后開啟電弧源Ti靶，偏壓200～300V，靶電流65A，離子轟擊Ti靶5～6min；

(4)沉積Ti：調整Ar氣壓至0.4～0.45Pa，偏壓降低至50～60V，電弧鍍Ti5～7min；

(5)沉積TiCN：調整工作氣壓為0.32～0.36Pa，偏壓58V，Ti靶電流50～60A；開啟N₂，調整N₂流量為50sccm，開啟C₂H₂，調整C₂H₂流量為50sccm，沉積溫度為120～200℃，中頻磁控濺射沉積TiCN40～50min；

(6)沉積玫瑰金鍍層：關閉Ti靶材，關閉N₂，關閉C₂H₂；調整Ar氣壓至0.9～1.8Pa，偏壓至100～200V，開啟金靶電源，電流調制5～6A，中頻磁控濺射沉積玫瑰金10～20min；

(7)后處理：關閉金靶電源，關閉偏壓電源、離子源及氣體源，保溫20～25min，鍍層結束；

(8)鈍化處理：將鍍有玫瑰金鍍層的金屬基體浸金銀保護水，溫度為30℃,鈍化處理5min，取出烘干。

4.根據權利要求3所述的一種玫瑰金鍍層的制備工藝，其特征在于，在化學鍍鎳的步驟中，其化學鍍鎳液的配比為：硫酸鎳30～40g/L，次磷酸鈉20～30g/L，氯化鎳20～30g/L，蘋果酸銨20～30g/L，鉬酸鈉5ppm。