[發明專利]靜電放電保護設備

在審

• 申請號: 201811194232.X
• 申請日: 2018-10-12
• 公開（公告）號: CN109671702A
• 公開（公告）日: 2019-04-23
• 發明（設計）人: 簡·克拉斯;斯蒂芬·約翰·斯奎;馬爾騰·雅各布斯·斯萬內堡;賴大偉
• 申請（專利權）人: 恩智浦有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 潘軍

1.一種靜電放電(ESD)保護設備，其特征在于，其包括：

雙極結型晶體管(BJT)，其具有包括發射極、基極以及集電極的端；

場效應晶體管(FET)，其具有包括柵極、源極以及漏極的端；以及

共基極區域，其連接到重組區域，

其中所述BJT和所述FET彼此集成并且包括由所述BJT和所述FET共用的公共區域，并且共同地被配置和布置成響應于所述端中的一個或多個端處的過量但可容忍的非ESD電壓變化而通過使所述共基極區域的電位跟隨所述BJT的所述端之一的電位來偏置所述共基極區域并且防止所述BJT的觸發。

2.根據權利要求1所述的ESD保護設備，其特征在于，所述公共區域是由所述BJT和所述FET中的每一個共用的端，并且所述BJT的所述基極形成所述共基極區域的一部分，并且其中所述過量但可容忍的非ESD電壓變化超過用于電路操作的典型電壓，并且小于針對所述BJT激活進行ESD保護設定的ESD觸發電壓。

3.根據權利要求1所述的ESD保護設備，其特征在于，其進一步包括橫向BJT，所述橫向BJT具有包括發射極、基極以及集電極的端，其中所述橫向BJT與所述BJT和所述FET共用所述公共區域，并且其中所述重組區域與所述BJT的所述端之一相鄰。

4.根據權利要求3所述的ESD保護設備，其特征在于，所述共基極區域包括所述BJT的基極區域和所述橫向BJT的基極區域。

5.根據權利要求1所述的ESD保護設備，其特征在于，其進一步包括：

橫向BJT，其具有包括發射極、基極以及集電極的端，以及

與所述橫向BJT相鄰的P和N區域，所述P和N區域被配置和布置成在所述P區域與所述N區域之間的結處形成重組區域，其中所述橫向BJT的所述端之一是由所述BJT、所述FET以及所述橫向BJT共同地共用的所述公共區域，而所述橫向BJT的所述端中的另一個端與和所述橫向BJT相鄰的所述P和N區域之一接觸。

6.根據權利要求1所述的ESD保護設備，其特征在于，所述FET的所述柵極連接到接地和輸入/輸出端之一，所述輸入/輸出端被配置和布置成接收與過量但可允許的非ESD電壓變化對應的輸入/輸出電壓。

7.根據權利要求1所述的ESD保護設備，其特征在于，所述ESD保護設備進一步包括：

具有包括柵極、源極以及漏極的端的另一個FET，其中所述BJT和所述另一個FET彼此集成并且包括由所述BJT和所述另一個FET共用的另一個公共區域，并且共同地被配置和布置成響應于在所述端中的所述一個或多個端處的相反極性的另一個過量但可容忍的非ESD電壓變化而通過使所述共基極區域的所述電位跟隨所述BJT的另一個端的電位來偏置所述共基極區域并且防止所述BJT的觸發。

8.根據權利要求1所述的ESD保護設備，其特征在于，所述共基極區域是浮置的或者具有高阻抗負載。