[發明專利]內含硒化銀/硒化銀鋅核殼量子點的垂直腔面發射激光器及其制備方法在審
| 申請號： | 201811193843.2 | 申請日： | 2018-10-15 |
| 公開（公告）號： | CN109167254A | 公開（公告）日： | 2019-01-08 |
| 發明（設計）人： | 廖晨 | 申請（專利權）人： | 南京郵電大學 |
| 主分類號： | H01S5/183 | 分類號： | H01S5/183;H01S5/187 |
| 代理公司： | 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陳國強 |
| 地址： | 210003 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硒化銀 殼量子點 垂直腔面發射激光器 鋅核 高反鏡 量子點 量子態 簡并 制備 垂直腔面發射 二氧化硅薄膜 二氧化硅層 高品質因子 量子點表面 點激光器 紅外量子 環境友好 近紅外光 石英基板 向上設置 逐漸增加 光增益 界面勢 鋅合金 鋅元素 包覆 鈍化 構建 鉛鹽 替代 | ||
1.一種內含硒化銀/硒化銀鋅核殼量子點的垂直腔面發射激光器，其特征在于：包括依次向上設置的石英基板(3)、下高反鏡、內含硒化銀/硒化銀鋅核殼量子點的二氧化硅層(6)和上高反鏡。
2.根據權利要求1所述的內含硒化銀/硒化銀鋅核殼量子點的垂直腔面發射激光器，其特征在于：所述內含硒化銀/硒化銀鋅核殼量子點的二氧化硅層(6)由二氧化硅膜和嵌入該二氧化硅膜中的硒化銀/硒化銀鋅核殼量子點組成。
3.根據權利要求2所述的內含硒化銀/硒化銀鋅核殼量子點的垂直腔面發射激光器，其特征在于：所述硒化銀/硒化銀鋅核殼量子點在二氧化硅膜中均勻分布。
4.根據權利要求2所述的內含硒化銀/硒化銀鋅核殼量子點的垂直腔面發射激光器，其特征在于：所述硒化銀/硒化銀鋅核殼量子點由硒化銀量子點(1)以及包覆在該硒化銀量子點(1)表面的硒化銀鋅合金殼(2)組成。
5.根據權利要求4所述的內含硒化銀/硒化銀鋅核殼量子點的垂直腔面發射激光器，其特征在于：所述硒化銀鋅合金殼(2)的鋅元素含量從內到外逐漸增加。
6.根據權利要求1所述的內含硒化銀/硒化銀鋅核殼量子點的垂直腔面發射激光器，其特征在于：所述硒化銀/硒化銀鋅核殼量子點作為光增益介質。
7.根據權利要求1所述的內含硒化銀/硒化銀鋅核殼量子點的垂直腔面發射激光器，其特征在于：所述下高反鏡為分布式布拉格反射鏡，由7個二氧化鈦層(4)和6個二氧化硅層(5)交替疊加構成，二氧化鈦層(4)和二氧化硅層(5)的光學厚度均為下高反鏡的反射中心波長的1/4；所述下高反鏡的反射率大于99.5％。
8.根據權利要求1所述的內含硒化銀/硒化銀鋅核殼量子點的垂直腔面發射激光器，其特征在于：所述上高反鏡為分布式布拉格反射鏡，由6個二氧化鈦層(4)和5個二氧化硅層(5)交替疊加構成，二氧化鈦層(4)和二氧化硅層(5)的光學厚度均為上高反鏡的反射中心波長的1/4；所述上高反鏡的反射率小于99％。
9.一種內含硒化銀/硒化銀鋅核殼量子點的垂直腔面發射激光器的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
(1)利用高溫熱分解法制備硒化銀量子點；
(2)利用連續離子層吸附反應法，通過逐漸減小銀離子前軀體的注入速度同時增加鋅離子前軀體的注入速度，在硒化銀量子點表面包覆鋅元素含量從內到外逐漸增加的硒化銀鋅合金殼，獲得硒化銀/硒化銀鋅核殼量子點；
(3)利用電子束熱蒸發法在石英基板上交替沉積7個二氧化鈦層和6個二氧化硅層來獲得下高反鏡；
(4)將步驟(2)得到的硒化銀/硒化銀鋅核殼量子點分散于甲苯中，再將硒化銀/硒化銀鋅核殼量子點的甲苯分散液與全氫聚硅氮烷混合，然后旋涂到下高反鏡上來獲得內含硒化銀/硒化銀鋅核殼量子點的二氧化硅層；
(5)利用射頻磁控濺射法在內含量子點的二氧化硅層上交替沉積6個二氧化鈦層和5個二氧化硅層來獲得上高反鏡。
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