[發(fā)明專利]內(nèi)含碲化銀/碲化銀鋅核殼量子點的微盤腔激光器及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811193789.1 | 申請日： | 2018-10-15 |
| 公開（公告）號： | CN109167256A | 公開（公告）日： | 2019-01-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 廖晨 | 申請（專利權(quán)）人： | 南京郵電大學(xué) |
| 主分類號： | H01S5/34 | 分類號： | H01S5/34 |
| 代理公司： | 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陳國強 |
| 地址： | 210003 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 碲化銀 微盤 量子點 殼量子點 鋅核 激光器 制備 二氧化硅 量子態(tài) 簡并 二氧化硅薄膜 高品質(zhì)因子 量子點表面 點激光器 紅外量子 環(huán)境友好 近紅外光 品質(zhì)因子 向上設(shè)置 逐漸增加 光增益 硅基板 界面勢 鋅合金 鋅元素 包覆 鈍化 構(gòu)建 鉛鹽 嵌入 涂覆 替代 | ||
1.一種內(nèi)含碲化銀/碲化銀鋅核殼量子點的微盤腔激光器，其特征在于：包括依次向上設(shè)置的硅基板(3)、硅圓柱(4)和內(nèi)含碲化銀/碲化銀鋅核殼量子點的二氧化硅圓盤(5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)含碲化銀/碲化銀鋅核殼量子點的微盤腔激光器，其特征在于：所述內(nèi)含碲化銀/碲化銀鋅核殼量子點的二氧化硅圓盤(5)由二氧化硅圓盤和嵌入該二氧化硅圓盤中的碲化銀/碲化銀鋅核殼量子點組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)含碲化銀/碲化銀鋅核殼量子點的微盤腔激光器，其特征在于：所述碲化銀/碲化銀鋅核殼量子點在二氧化硅圓盤中均勻分布。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)含碲化銀/碲化銀鋅核殼量子點的微盤腔激光器，其特征在于：所述碲化銀/碲化銀鋅核殼量子點由碲化銀量子點(1)以及包覆在該碲化銀量子點(1)表面的碲化銀鋅合金殼(2)組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的內(nèi)含碲化銀/碲化銀鋅核殼量子點的微盤腔激光器，其特征在于：所述碲化銀鋅合金殼(2)的鋅元素含量從內(nèi)到外逐漸增加。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)含碲化銀/碲化銀鋅核殼量子點的微盤腔激光器，其特征在于：所述碲化銀/碲化銀鋅核殼量子點作為光增益介質(zhì)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)含碲化銀/碲化銀鋅核殼量子點的微盤腔激光器，其特征在于：所述硅圓柱(4)上底面的面積小于內(nèi)含碲化銀/碲化銀鋅核殼量子點的二氧化硅圓盤(5)下底面的面積。
8.一種內(nèi)含碲化銀/碲化銀鋅核殼量子點的微盤腔激光器的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
(1)利用高溫?zé)岱纸夥ㄖ苽漤诨y量子點；
(2)利用連續(xù)離子層吸附反應(yīng)法，通過逐漸減小銀離子前軀體的注入速度同時增加鋅離子前軀體的注入速度，在碲化銀量子點表面包覆鋅元素含量從內(nèi)到外逐漸增加的碲化銀鋅合金殼，獲得碲化銀/碲化銀鋅核殼量子點；
(3)將步驟(2)得到的碲化銀/碲化銀鋅核殼量子點分散于甲苯中，再將碲化銀/碲化銀鋅核殼量子點的甲苯分散液與全氫聚硅氮烷混合，然后旋涂到硅基板上來獲得內(nèi)含量子點的二氧化硅膜；
(4)利用反應(yīng)離子干法刻蝕將內(nèi)含碲化銀/碲化銀鋅核殼量子點的二氧化硅膜刻蝕成內(nèi)含碲化銀/碲化銀鋅核殼量子點的二氧化硅圓盤；
(5)用二氟化氙刻蝕二氧化硅圓盤下方的硅來獲得支撐二氧化硅圓盤的硅圓柱。
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