[發(fā)明專(zhuān)利]內(nèi)含碲化銀量子點(diǎn)的分布反饋激光器及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811193785.3 | 申請(qǐng)日： | 2018-10-15 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN109286132A | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-01-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 廖晨 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 南京郵電大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01S5/12 | 分類(lèi)號(hào)： | H01S5/12 |
| 代理公司： | 南京瑞弘專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 陳國(guó)強(qiáng) |
| 地址： | 210003 江蘇*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 量子點(diǎn) 碲化銀 分布反饋激光器 二氧化硅 量子態(tài) 簡(jiǎn)并 制備 二氧化硅薄膜 光熱穩(wěn)定性 有機(jī)聚合物 點(diǎn)激光器 分布反饋 高穩(wěn)定性 紅外量子 環(huán)境友好 近紅外光 石英基板 向上設(shè)置 制備周期 周期光柵 光柵 鉛鹽 替代 | ||
1.一種內(nèi)含碲化銀量子點(diǎn)的分布反饋激光器，其特征在于：包括依次向上設(shè)置的石英基板(2)、內(nèi)含碲化銀量子點(diǎn)的二氧化硅周期光柵(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)含碲化銀量子點(diǎn)的分布反饋激光器，其特征在于：所述內(nèi)含碲化銀量子點(diǎn)的二氧化硅周期光柵(3)由二氧化硅周期光柵和嵌入該二氧化硅周期光柵中的碲化銀量子點(diǎn)(1)組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)含碲化銀量子點(diǎn)的分布反饋激光器，其特征在于：所述碲化銀量子點(diǎn)(1)在二氧化硅周期光柵中均勻分布。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)含碲化銀量子點(diǎn)的分布反饋激光器，其特征在于：所述碲化銀量子點(diǎn)(1)作為光增益介質(zhì)。
5.一種內(nèi)含碲化銀量子點(diǎn)的分布反饋激光器的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
(1)利用高溫?zé)岱纸夥ㄖ苽漤诨y量子點(diǎn)；
(2)將步驟(1)得到的碲化銀量子點(diǎn)分散于甲苯中，再將碲化銀量子點(diǎn)的甲苯分散液與全氫聚硅氮烷混合，然后旋涂到石英基板上來(lái)獲得內(nèi)含量子點(diǎn)的二氧化硅膜；
(3)利用反應(yīng)離子刻蝕法將內(nèi)含碲化銀量子點(diǎn)的二氧化硅膜刻蝕成內(nèi)含碲化銀量子點(diǎn)的二氧化硅周期光柵。
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