[發明專利]一種邊緣封閉式量子點增強膜及其制備方法

在審

• 申請號: 201811193137.8
• 申請日: 2018-10-14
• 公開（公告）號: CN111038034A
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發明（設計）人: 劉勇;謝彬彬
• 申請（專利權）人: 南京貝迪電子有限公司
• 主分類號: B32B27/00
• 分類號: B32B27/00;B32B27/06;B32B33/00;B32B27/18
• 代理公司: 江蘇殊成律師事務所 32265
• 代理人: 楊桂平

1.一種邊緣封閉式量子點增強膜，其特征在于：該量子點增強膜具有多層結構，包括兩層外層基膜、兩層內層阻隔層和中間量子點層，兩層內層阻隔層位于中間量子點層的外側，兩層外層基膜位于兩層內層阻隔層的外側，外層基膜的厚度為50-125μm，內層阻隔層的厚度為0.001-0.5μm，中間量子點層的厚度為50-150μm；其中，量子點層由基質樹脂、量子點、量子點穩定劑、散射粒子、引發劑、稀釋劑組成。

2.根據權利要求1所述的一種邊緣封閉式量子點增強膜，其特征在于：所述基膜的材質為聚乙烯PE、聚氯乙烯PVC、聚丙烯PP、聚碳酸酯PC、聚鄰苯二甲酸乙二醇酯PET、聚甲基丙烯酸甲酯PMMA的一種或多種。

3.根據權利要求1所述的一種邊緣封閉式量子點增強膜，其特征在于：所述基質樹脂為有機硅樹脂、環氧樹脂、聚丙烯酰胺、聚氨酯、異氰酸酯、光固化樹脂、熱固化樹脂的一種或多種。

4.根據權利要求1所述的一種邊緣封閉式量子點增強膜，其特征在于：所述量子點為MgS、CdTe、CdSe、CdS、CdZnS、ZnSe、ZnTe、ZnS、ZnO、GaAs、GaN、GaP、InP、InAs、InN、InSb、AlP、AlSb的一種或多種。

5.根據權利要求1所述的一種邊緣封閉式量子點增強膜，其特征在于：所述量子點的結構為核殼結構，該核殼結構為量子點中心核結構和外層殼結構，該核殼結構所用的材料均為半導體。

6.根據權利要求1所述的一種邊緣封閉式量子點增強膜，其特征在于：所述量子點穩定劑為甲苯、正己烷、氯仿、丙烯酸異冰片酯的一種或多種。

7.根據權利要求1所述的一種邊緣封閉式量子點增強膜，其特征在于：所述散射粒子為無機粒子、有機粒子中的至少一種。

8.根據權利要求7所述的一種邊緣封閉式量子點增強膜，其特征在于：所述無機粒子為納米二氧化硅、納米二氧化鈦、納米二氧化鈣、納米二氧化鋯中的一種或多種；所述有機粒子為有機硅類納米粒子、丙烯酸類納米粒子的一種或多種。

9.根據權利要求1所述的一種邊緣封閉式量子點增強膜，其特征在于：所述引發劑為光引發劑、熱引發劑的一種或多種。

10.根據權利要求1所述的一種邊緣封閉式量子點增強膜，其特征在于：所述稀釋劑為甲苯、丙酮、丁酮、乙腈、乙醇、乙酸、乙酸乙酯、乙酸丁酯、正丁醚的一種或多種。

11.一種邊緣封閉式量子點增強膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：量子點溶解于量子點穩定劑中，得量子點溶液，量子點溶液與基質樹脂、散射粒子、引發劑和稀釋劑混合后，通過狹縫涂布，與上下兩層具有阻隔層的基膜貼合，并在光照和熱量的作用下，中間量子點層發生固化，從而形成多層結構并纏繞成量子點膜卷材。

12.根據權利要求11的所述一種邊緣封閉式量子點增強膜的制備方法，其特征在于：量子點膜卷材在經過裁切和打取定位孔后，進行濕法涂布處理，即將裁切和打孔處理后的量子點膜浸潤在涂布液中，隨后以一定的速度將浸潤后的量子點膜從涂布液中取出；將從涂布液中取出后的量子點膜靜置一定時間后，附著在量子點膜表層的涂布液中的溶劑會揮發掉并在表層留下一層透明薄膜，該層薄膜可完全覆蓋整塊裁切完成的量子點膜；所述的透明薄膜的厚度可以通過控制從涂布液中取出量子點膜的速度來進行調節，厚度范圍為20nm-50μm。

13.根據權利要求12的所述一種邊緣封閉式量子點增強膜的制備方法，其特征在于：量子點膜可進行單次或多次濕法涂布過程，從而形成多層透明薄膜。