[發明專利]一種鋱參雜的硅酸鎵鑭晶體及其提拉法生長方法在審
| 申請號： | 201811192337.1 | 申請日： | 2018-10-13 |
| 公開（公告）號： | CN109183155A | 公開（公告）日： | 2019-01-11 |
| 發明（設計）人： | 羅毅 | 申請（專利權）人： | 安徽科瑞思創晶體材料有限責任公司 |
| 主分類號： | C30B29/34 | 分類號： | C30B29/34;C30B15/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 230601 安徽省*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅酸鎵鑭 提拉法生長 光纖電流傳感器 光學隔離器 激光調制器 磁光開關 磁光器件 晶體結構 系統領域 信息處理 轉換功能 電晶體 光電磁 光網絡 可用 應用 生長 通訊 | ||
【權利要求書】：
1.一種鋱參雜的硅酸鎵鑭晶體，其特征在于：其分子式可表示為
Tb3xLa3（1-x）Ga5SiO14，其中，x 的取值范圍為：0<x<1。
2. 如權利要求1 鋱參雜的硅酸鎵鑭晶體的提拉法生長方法，其特征在于：包括以下步驟：
（1）采用Tb2O3、La2O3、Ga2O3、SiO2 作為原料，按下列化學反應式：
1.5xTb2O3+1.5（1-x）La2O3+2.5Ga2O3+SiO2→Tb3xLa3（1-x）Ga5SiO14進行配料均勻混合形成混合物；
（2）將混合物在1000-1200℃下煅燒80-210小時發生固相反應后，獲得生長晶體所需的多晶原料；
（3）將多晶原料放入生長銥坩堝內，通過感應加熱或電阻加熱并充分熔化，獲得晶體生長熔體；然后采用提拉法生長工藝進行晶體生長；
（4）晶體生長熔體在單晶提拉爐內，以高純氮氣和氧氣的混合氣體或以高純氬氣和氧氣為保護氣氛下進行單晶提拉，拉速為0.4～3.2 mm／h，轉速為5.5～25 r／min；生長時間為6～16天，生長出晶體，當晶體生長結束后，將晶體提升，高出熔體表面4～20mm，然后緩慢退火至室溫，降溫速率為7～70℃ /h，即得鋱參雜的硅酸鎵鑭晶體，再對其進行切割、拋光即可獲得所需尺寸的鋱參雜的硅酸鎵鑭晶體。
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