[發(fā)明專利]一種液晶顯示裝置的背光源模組有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811192071.0 | 申請(qǐng)日： | 2018-10-12 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN109449075B | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-09-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李子考;李會(huì)斌;凡永亮 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 人民百業(yè)科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01J63/06 | 分類號(hào)： | H01J63/06;H01J1/304;H01J63/02;B82Y30/00;C01B32/158;G02F1/13357 |
| 代理公司： | 鹽城眾創(chuàng)睿智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32470 | 代理人： | 任翠濤 |
| 地址： | 224000 江蘇省鹽城市鹽南*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 液晶 顯示裝置 背光源 模組 | ||
1.一種液晶顯示裝置的背光源模組，其特征在于，所述背光源模組包括陽(yáng)極基板、陰極基板以及背光源框架，所述陽(yáng)極基板位于背光源框架的上部，所述陰極基板位于背光源框架的下部，所述陽(yáng)極基板和陰極基板由背光源框架兩側(cè)的可調(diào)節(jié)凸臺(tái)隔離，所述陽(yáng)極基板由導(dǎo)電基板和設(shè)置于導(dǎo)電基板內(nèi)表面的熒光層所組成，所述陰極基板包括玻璃基板、設(shè)置于玻璃基板表面的透明陰極、柵極和填充在陰極與柵極的間隙中的摻雜型復(fù)合碳納米管，所述陰極和柵極平行交替排列設(shè)置于同一平面上，所述凸臺(tái)包括凸臺(tái)本體、調(diào)節(jié)螺桿、滑動(dòng)柱、鎖緊螺釘；調(diào)節(jié)螺桿設(shè)置在所述凸臺(tái)本體的內(nèi)部，通過(guò)螺紋配合，所述滑動(dòng)柱位于所述調(diào)節(jié)螺桿的下端，設(shè)置在凸臺(tái)本體的滑道內(nèi)，隨調(diào)節(jié)螺桿共同運(yùn)動(dòng)，所述鎖緊螺釘位于滑動(dòng)柱的側(cè)面，設(shè)置在凸臺(tái)本體的內(nèi)部，用于鎖緊滑動(dòng)柱；通過(guò)在所述陰極基板的透明陰極及柵極之間施加高壓電場(chǎng)，摻雜型復(fù)合碳納米管層中的有效成分在高壓電場(chǎng)的激發(fā)下，發(fā)射出電子，通過(guò)摻雜型復(fù)合碳納米管陣列，轟擊到熒光層，熒光層發(fā)出的光線直接透過(guò)透明陰極以及玻璃基板發(fā)射出來(lái)，形成出射光均勻的背光源；所述摻雜型復(fù)合碳納米管的具體制作步驟如下：制備基板，基板選自透明基板或生物融合型基板，將制備好的基板行劃片，清洗基板；通過(guò)催化劑化學(xué)氣相沉積法制備出的碳納米管，選用金屬Ni作為金屬催化劑，將制備好催化劑薄膜的基板放置在加熱臺(tái)上，碳源氣體由氮?dú)夂鸵胰步M成，反應(yīng)室抽真空至10-3mbar或者更低壓力除去雜質(zhì)和水蒸氣，加熱臺(tái)升溫至650℃，立即施加電壓使其能耦合產(chǎn)生等離子氣體，生長(zhǎng)溫度為控制在750℃；通過(guò)控制生長(zhǎng)的時(shí)間來(lái)控制碳納米管的高度；將CuI和SnI溶解于2-甲氧基乙醇中，金屬前體溶液的濃度分別為0.52m和0.37m， Sn/(Cu+Sn)的摩爾比為10％，將其pH值控制在8.5；使用超聲波震碎器將所述金屬前體溶液混合45分鐘并用0.40μm過(guò)濾膜過(guò)濾；以3000rpm的轉(zhuǎn)速攪拌金屬前體溶液60s后使用一步旋轉(zhuǎn)鍍膜法將混合后的金屬前體溶液涂布于碳納米管上形成a-CuSnI層，在130℃下進(jìn)行退火反應(yīng)，并在氬氣中放置5小時(shí)，制成摻雜型復(fù)合碳納米管，所述摻雜型復(fù)合碳納米管的厚度為28-34微米，其中碳納米管層的厚度為16-20微米，a-CuSnI層的厚度為8-18微米；通過(guò)X光X射線光電子能譜分析a-CuSnI層中的Cu，I，Sn化學(xué)狀態(tài)，Cu 2p3/2和I 3d5/2的結(jié)合能分別為925和607eV，與γ-CuI相一致，a-CuSnI中所有Sn離子的價(jià)態(tài)為4+，Sn3d5/2的結(jié)合能為485.2eV，Sn通過(guò)抑制γ-CuI相的結(jié)晶來(lái)穩(wěn)定a-CuSnI的非晶狀態(tài),使用紫外光電子能譜(UPS)測(cè)定研究了a-CuSnI的電子結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述液晶顯示裝置的背光源模組，其特征在于，所述陰極基板與陽(yáng)極基板的距離由背光源框架兩側(cè)的凸臺(tái)高度決定，凸臺(tái)高度為1000-10000 μm，調(diào)節(jié)螺桿采用細(xì)牙螺紋，螺距為500-1000μm。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于人民百業(yè)科技有限公司，未經(jīng)人民百業(yè)科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811192071.0/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
