[發明專利]圖像傳感器芯片和圖像傳感器裝置在審
| 申請號: | 201811191864.0 | 申請日: | 2018-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN109300928A | 公開(公告)日: | 2019-02-01 |
| 發明(設計)人: | 戚務昌;林永輝;姜利;鄧娟;咸杰 | 申請(專利權)人: | 威海華菱光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/369 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 韓建偉;謝湘寧 |
| 地址: | 264209 山東省威海*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像傳感器芯片 光敏接收區 光敏單元 光敏器件 圖像傳感器裝置 依次排列 圖像傳感器 主掃描方向 方向垂直 分辨率 檢測點 感度 減小 連線 申請 保證 | ||
1.一種圖像傳感器芯片,其特征在于,所述圖像傳感器芯片包括多個光敏單元(10),多個所述光敏單元(10)沿第一方向依次排列,且各所述光敏單元(10)包括多個沿著第二方向依次排列的光敏器件(12),所述第一方向與所述第二方向垂直,所述第二方向為所述圖像傳感器芯片的主掃描方向,各所述光敏器件(12)具有光敏接收區(100),任意兩個所述光敏接收區(100)的面積均相同且具有寬度相同的間隔,任意兩個所述光敏單元(10)中的任意兩個所述光敏器件(12)的所述光敏接收區(100)的中心的連線與第一方向之間具有夾角θ,且0°<θ<180°。
2.根據權利要求1所述的圖像傳感器芯片,其特征在于,任意兩個所述光敏接收區(100)在第一平面上的投影形狀均相同,所述第一平面與所述第一方向和所述第二方向分別平行。
3.根據權利要求2所述的圖像傳感器芯片,其特征在于,所述光敏接收區(100)在所述第一平面上的投影形狀選自圓、正方形、長方形、橢圓與三角形中的任意一種。
4.根據權利要求2所述的圖像傳感器芯片,其特征在于,各所述光敏接收區(100)在第二方向上的最大長度為L,任意相鄰兩個所述光敏單元(10)中的所述光敏器件(12)是一一對應的,且一一對應的兩個所述光敏器件(12)的所述光敏接收區(100)的中心之間的間距在所述第二方向上的寬度為1/3L~2/3L,優選為1/2L。
5.根據權利要求1所述的圖像傳感器芯片,其特征在于,各所述光敏單元(10)中,任意相鄰兩個所述光敏接收區(100)之間的間隔相同。
6.根據權利要求1所述的圖像傳感器芯片,其特征在于,所述光敏單元(10)有兩個。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的圖像傳感器芯片,其特征在于,所述圖像傳感器芯片還包括:
控制單元(20),用于接收外部時鐘信號和起始信號,且用于控制所述圖像傳感器芯片的工作;
存儲單元(30),包括多個存儲器(32),各所述存儲器(32)與所述控制單元(20)電連接,且所述存儲器(32)和所述光敏器件(12)一一對應電連接,所述存儲器(32)用于存儲對應的所述光敏器件(12)得到的電壓信號;
移位單元(40),與各所述存儲器(32)和所述控制單元(20)分別電連接,所述移位單元(40)用于將所述存儲器(32)儲存的所述電壓信號依次輸出;
放大單元(60),與所述移位單元(40)和所述控制單元(20)分別電連接,所述放大單元(60)用于將所述移位單元(40)依次輸出的所述電壓信號進行放大。
8.根據權利要求7所述的圖像傳感器芯片,其特征在于,各所述光敏單元(10)還包括:
多個第一復位開關(11),與所述光敏器件(12)一一對應的電連接,用于對對應的所述光敏器件(12)的輸出電壓進行復位;
第一放大器(13),與所述光敏器件(12)一一對應的電連接,且所述光敏器件(12)的輸出端分別與所述第一復位開關(11)以及所述第一放大器電連接,所述第一放大器用于對對應的所述光敏器件(12)的輸出電壓進行放大。
9.根據權利要求8所述的圖像傳感器芯片,其特征在于,所述存儲單元(30)還包括多個采樣保持開關(31),所述采樣保持開關(31)一一對應電連接在所述第一放大器(13)和所述存儲器(32)之間,且所述存儲器(32)通過所述采樣保持開關(31)與所述控制單元(20)電連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





