[發明專利]一種MPCVD設備基片臺控溫裝置及方法在審
| 申請號： | 201811191479.6 | 申請日： | 2018-10-12 |
| 公開（公告）號： | CN109402610A | 公開（公告）日： | 2019-03-01 |
| 發明（設計）人： | 黃翀;彭琎 | 申請（專利權）人： | 長沙新材料產業研究院有限公司 |
| 主分類號： | C23C16/46 | 分類號： | C23C16/46;C23C16/511 |
| 代理公司： | 武漢智匯為專利代理事務所(普通合伙) 42235 | 代理人： | 李恭渝 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基片臺 金剛石生長過程 金剛石表面 控溫裝置 冷卻水路 同心環形 圓形基片 金剛石沉積過程 間隔距離 控制基板 相鄰基片 金剛石 冷卻水 中心軸 散熱 沉積 基底 冷卻 生產 生長 配置 | ||
1.一種MPCVD設備基片臺控溫裝置，其特征在于包括位于中心的圓形基片臺和多個環形基片臺，所述的多個環形基片臺套在圓形基片臺外圍，每個基片臺配置單獨的冷卻介質冷卻流道。
2.根據權利要求1所述的基片臺控溫裝置，所述圓形基片臺和多個環形基片臺間具有相同的中心軸，相鄰基片臺的間隔距離為1mm-10mm。
3.根據權利要求1所述的基片臺控溫裝置，所述冷卻流道可通過控制通入冷卻介質的種類、流速、流量，控制基片臺的冷卻速度。
4.根據權利要求1所述的基片臺控溫裝置，還包括氣體源，所述氣體源中的氣體可通入所述冷卻流道中。
5.根據權利要求1所述的基片臺控溫裝置，其特征在于所述每個基片臺配置單獨的冷卻流道具體為：所述環形基片臺冷卻流道沿環形基片臺環繞一周，圓形基片臺冷卻流道為常規冷卻流道。
6.根據權利要求1所述的基片臺控溫裝置，其特征在于所述圓形基片臺和多個同心環形基片臺上表面，放置帶有開孔的鉬片，開孔的大小和位置與沉積過程中放置在基片臺上的金剛石籽晶對應，所述圓形基片臺和多個同心環形基片臺間的縫隙被鉬片罩住。
7.根據權利要求1所述的基片臺控溫裝置，其特征在于所述圓形基片臺和多個同心環形基片臺上表面齊平。
8.根據權利要求6所述的基片臺控溫裝置，其特征在于所述鉬片厚度為0.5mm-1.5mm。
9.根據權利要求2所述的基片臺控溫裝置，其特征在于所述相鄰基片臺的間隔距離為2mm-5mm。
10.基于一種MPCVD設備基片臺控溫裝置的控溫方法，其特征在于包括以下步驟：步驟1、安裝所述MPCVD設備基片臺控溫裝置；
步驟2、啟動所述MPCVD設備開始生產制備金剛石，同時開啟MPCVD設備基片臺控溫裝置；
步驟3、通過采用調節冷卻流道中冷卻介質種類、流速、流量、混入冷卻介質中氣體的流量這四種手段中的一種或多種，控制散熱，調控金剛石表面溫度。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
