[發明專利]一種射頻前端芯片封裝結構及方法

在審

• 申請號: 201811188687.0
• 申請日: 2018-10-12
• 公開（公告）號: CN109346455A
• 公開（公告）日: 2019-02-15
• 發明（設計）人: 祝明國;孫成龍;姜法明;胡念楚;賈斌
• 申請（專利權）人: 開元通信技術（廈門）有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/552;H01L21/50;H01L21/52;H01L21/56
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 羅滿

本發明公開了一種射頻前端芯片封裝結構，包括封裝基板，在所述封裝基板的上表面和射頻前端芯片的下表面之間形成空腔；至少一個金屬凸塊，所述金屬凸塊位于所述空腔中，且所述金屬凸塊的高度高于所述空腔的深度；至少一個所述射頻前端芯片，所述射頻前端芯片的下表面位于所述金屬凸塊的上表面；屏蔽層，使所述封裝基板和所述射頻前端芯片間形成密閉空間。通過在封裝基板的上表面和射頻前端芯片的下表面之間形成空腔，將金屬凸塊置于空腔中，射頻前端芯片的下表面位于金屬凸塊的上表面，在射頻前端芯片和封裝基板覆蓋屏蔽層，形成射頻前端芯片工作需要的環境，降低了成本。本發明還提供了一種具有上述優點的射頻前端芯片封裝方法。

技術領域

本發明涉及半導體封裝技術領域，特別是涉及一種射頻前端芯片封裝結構及方法。

背景技術

隨著集成電路技術的快速發展，電子產品越來越趨于小型化、薄型化和智能化。為了適應小型化的發展趨勢，減少射頻前端芯片在印刷電路板上的面積，射頻前端芯片模塊化將是最佳的發展趨勢。

射頻前端芯片大多集中在印刷電路板的某一區域上，為了解決射頻信號相互干擾的問題，現有的技術方案采用在射頻前端芯片的表面增加金屬屏蔽層，但是射頻前端芯片中的射頻芯片，例如濾波器和雙工器必須使用晶圓級封裝(Wafer Level Package，簡稱WLP)的芯片，由于晶圓級封裝的芯片價格極高，導致這一解決方案的成本比較高。

發明內容

本發明的目的是提供一種射頻前端芯片封裝結構及方法，目的在于解決現有技術中射頻前端芯片封裝成本高的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供一種射頻前端芯片封裝結構，包括：

封裝基板，在所述封裝基板的上表面和射頻前端芯片的下表面之間形成空腔；

至少一個金屬凸塊，所述金屬凸塊位于所述空腔中，且所述金屬凸塊的高度高于所述空腔的深度；

至少一個所述射頻前端芯片，所述射頻前端芯片的下表面與所述金屬凸塊的上表面相連；

屏蔽層，使所述封裝基板和所述射頻前端芯片之間形成密閉空間。

優選地，所述屏蔽層包括銅、錫、鎳、鈷、金、鈦、鉻七種單組份金屬膜層中任意疊加形成的多層膜。

優選地，所述射頻前端芯片包括功率放大器、射頻開關、雙工器、濾波器、低噪聲放大器中的任意一種芯片或者任意組合芯片。

優選地，所述封裝基板的上表面設有圍堰，以使所述封裝基板的上表面和射頻前端芯片的下表面之間形成空腔。

優選地，所述封裝基板具有凹槽，以使所述封裝基板的上表面和射頻前端芯片的下表面之間形成空腔。

本發明還提供一種射頻前端芯片封裝方法，包括：

提供封裝基板，其中在所述封裝基板的上表面和射頻前端芯片的下表面之間形成有空腔；

將所述射頻前端芯片通過金屬凸塊倒裝在所述封裝基板的上表面；

在所述封裝基板和所述射頻前端芯片之間覆蓋屏蔽層，使所述封裝基板和所述射頻前端芯片之間形成密閉空間。

優選地，所述在封裝基板和所述射頻前端芯片之間覆蓋屏蔽層包括：

在封裝基板和所述射頻前端芯片之間通過濺射的方法覆蓋屏蔽層。

優選地，所述提供封裝基板，其中在所述封裝基板的上表面和射頻前端芯片的下表面之間形成有空腔包括：

提供封裝基板，并且在所述封裝基板的上表面設置圍堰以形成空腔；

或者，提供封裝基板，并且在所述封裝基板的上表面開設凹槽以形成空腔；