[發(fā)明專利]傳感器設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811188636.8
• 申請(qǐng)日: 2018-10-11
• 公開（公告）號(hào): CN109655806A
• 公開（公告）日: 2019-04-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: G·科爾斯;W·萊特恩;S·馬達(dá)萊納;R·凱
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 邁來芯科技有限公司
• 主分類號(hào): G01S7/481
• 分類號(hào): G01S7/481
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖;黃嵩泉

1.一種傳感器設(shè)備，包括：

發(fā)射器設(shè)備，所述發(fā)射器設(shè)備布置為發(fā)射電磁輻射，并且具有與所述發(fā)射器設(shè)備相關(guān)聯(lián)的發(fā)射區(qū)域；

檢測(cè)器設(shè)備，所述檢測(cè)器設(shè)備布置為接收電磁輻射，并且具有與所述檢測(cè)器設(shè)備相關(guān)聯(lián)的檢測(cè)區(qū)域；

光學(xué)系統(tǒng)；其特征在于：

將所述發(fā)射區(qū)域以預(yù)定距離與所述檢測(cè)區(qū)域間隔開；

所述光學(xué)系統(tǒng)限定多個(gè)主射線，所述多個(gè)主射線中的數(shù)個(gè)主射線貫穿所述檢測(cè)區(qū)域；

所述多個(gè)主射線中的所述數(shù)個(gè)主射線也貫穿所述發(fā)射區(qū)域。

2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述發(fā)射器設(shè)備被設(shè)置在所述檢測(cè)器設(shè)備與所述光學(xué)系統(tǒng)之間。

3.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，所述預(yù)定距離經(jīng)選擇以便使得所述發(fā)射器設(shè)備對(duì)所述檢測(cè)區(qū)域的遮蔽最小化。

4.如權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其特征在于，所述預(yù)定距離經(jīng)選擇致使被引導(dǎo)朝向所述檢測(cè)區(qū)域的所述光中小于基本上5％的光被所述發(fā)射區(qū)域遮蔽。

5.如前述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括：

至所述發(fā)射器設(shè)備的用于提供電力的電耦合件，所述電耦合件被布置為提供熱負(fù)載，由此在使用時(shí)減少所述發(fā)射器設(shè)備與其中設(shè)置所述發(fā)射器設(shè)備的環(huán)境之間的熱阻。

6.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其特征在于，所述發(fā)射器設(shè)備被設(shè)置為與所述檢測(cè)器設(shè)備毗鄰。

7.如權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括：

半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括被設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上或至少部分地被設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底中的檢測(cè)器設(shè)備；以及

驅(qū)動(dòng)器電路；其中，

所述發(fā)射器設(shè)備可操作地耦合至所述驅(qū)動(dòng)器電路；

所述半導(dǎo)體襯底包括所述驅(qū)動(dòng)器電路，所述驅(qū)動(dòng)器電路被設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上或至少部分地被設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底中。

8.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括：

半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括被設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上或至少部分地被設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底中的發(fā)射器設(shè)備；以及

驅(qū)動(dòng)器電路；其中

所述發(fā)射器設(shè)備可操作地耦合至所述驅(qū)動(dòng)器電路；

所述半導(dǎo)體襯底包括所述發(fā)射器電路，所述發(fā)射器電路被設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底上或至少部分地被設(shè)置在所述半導(dǎo)體襯底中。

9.如權(quán)利要求1至4或權(quán)利要求8中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括：

支撐襯底，所述支撐襯底被設(shè)置為與所述檢測(cè)器設(shè)備相對(duì)，所述支撐襯底具有面向內(nèi)的表面以及面向外的表面，所述面向內(nèi)的表面與所述檢測(cè)器設(shè)備處于間隔關(guān)系，并且所述面向外的表面承載所述發(fā)射器設(shè)備。

10.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其特征在于，所述支撐襯底是透光的和/或波長可選的。

11.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其特征在于，所述支撐襯底由玻璃或涂覆玻璃或者塑料材料或涂覆塑料材料來形成。

12.如權(quán)利要求1至4或權(quán)利要求8中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括與所述發(fā)射器設(shè)備毗鄰并且光耦合至所述發(fā)射器設(shè)備的光學(xué)元件。

13.如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其特征在于，所述光學(xué)元件是耦合至所述發(fā)射器設(shè)備的透鏡。

14.如權(quán)利要求1至4或權(quán)利要求8中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括：

發(fā)射器設(shè)備的陣列，所述發(fā)射器設(shè)備的陣列包括所述發(fā)射器設(shè)備。

15.如權(quán)利要求1至4或權(quán)利要求8中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括：

檢測(cè)器設(shè)備的陣列，所述檢測(cè)器設(shè)備的陣列包括所述檢測(cè)器設(shè)備。