[發(fā)明專利]一種對環(huán)境因素敏感的憶阻器的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811188337.4
• 申請日: 2018-10-12
• 公開（公告）號: CN109449287B
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孫柏;李小霞;付國強;陳元正;李冰;趙勇
• 申請（專利權(quán)）人: 西南交通大學(xué)
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;C23C14/04;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/35
• 代理公司: 成都虹盛匯泉專利代理有限公司 51268
• 代理人: 王偉

1.一種對環(huán)境因素敏感的憶阻器的制備方法，其特征在于：具體包括如下步驟：

S1：清洗襯底：將基片清洗、吹干后放入磁控濺射室中；

S2：濺射沉積Cu₂ZnSnSe₄薄膜：在磁控濺射靶槍上安裝Cu₂ZnSnSe₄化合物靶材，Cu、Zn、Sn、Se原子比為2:1:1:4，設(shè)靶基距為8-12cm，在磁控濺射腔室本底抽真空后，通入高純氬氣作為工作氣體，設(shè)置濺射氣壓為0.5～1.0Pa，襯底溫度為200～300℃，濺射功率80～100W/cm²，濺射時間為20～30min，獲得Cu₂ZnSnSe₄薄膜；

S3：濺射沉積BiFeO₃薄膜：經(jīng)步驟S2處理后，在磁控濺射靶槍上安裝BiFeO₃化合物靶材，Bi、Fe、O原子比為1:1:3，設(shè)置靶基距為8-12cm，對磁控濺射腔室抽本底真空后，通入高純氬氣作為工作氣體，設(shè)置濺射氣壓為0.5～1.0Pa，襯底溫度為室溫，濺射功率為80～100W/cm²，濺射時間為15～20min，獲得BiFeO₃薄膜；

S4：制備上電極：在沉積好的BiFeO₃薄膜表面沉積上電極，獲得對環(huán)境因素敏感的憶阻器。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對環(huán)境因素敏感的憶阻器的制備方法，其特征在于：所述步驟S1中，清洗采用的具體方法為：將基片依次放入去離子水、酒精、丙酮、酒精、去離子水中，分別超聲清洗10～20min，基片使用氮氣吹干后放入磁控濺射室中。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對環(huán)境因素敏感的憶阻器的制備方法，其特征在于：所述步驟S2中，將磁控濺射腔室本底真空度抽至3.6×10^-4Pa，高純氬氣純度為99.999％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對環(huán)境因素敏感的憶阻器的制備方法，其特征在于：所述步驟S3中，將磁控濺射腔室本底真空度抽至3.6×10^-4Pa，高純氬氣純度為99.999％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對環(huán)境因素敏感的憶阻器的制備方法，其特征在于：所述步驟S4中，在沉積好的BiFeO₃薄膜表面覆蓋具有孔徑為1mm的金屬掩模版，采用直流濺射法沉積上電極。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對環(huán)境因素敏感的憶阻器的制備方法，其特征在于：所述步驟S3中，BiFeO₃薄膜的厚度150～200nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對環(huán)境因素敏感的憶阻器的制備方法，其特征在于：所述步驟S2中，Cu₂ZnSnSe₄薄膜的厚度400～600nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的對環(huán)境因素敏感的憶阻器的制備方法，其特征在于：所述基片為覆蓋有FTO薄膜的基底，所述基底為平整玻璃或石英。

9.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的對環(huán)境因素敏感的憶阻器的制備方法，其特征在于：所述步驟S4中，上電極采用銀。