[發明專利]一種草酸鹽納米片陣列薄膜電極的制備方法有效
| 申請號： | 201811186738.6 | 申請日： | 2018-10-12 |
| 公開（公告）號： | CN109267090B | 公開（公告）日： | 2019-08-23 |
| 發明（設計）人： | 李綱;全學軍;胡學步;齊學強;白薇揚;向小倩 | 申請（專利權）人： | 重慶理工大學 |
| 主分類號： | C25B11/04 | 分類號： | C25B11/04;C25B11/06;C25B1/04;H01G11/30;H01G11/86;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 西安啟誠專利知識產權代理事務所(普通合伙) 61240 | 代理人： | 馮亮 |
| 地址： | 400054 *** | 國省代碼： | 重慶;50 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米片陣列 薄膜電極 草酸鹽 活性材料 制備 酸鹽 種草 薄膜 導電基片表面 導電基體表面 超級電容器 電化學活性 催化材料 導電基片 導電基體 電極材料 電子擴散 多孔通道 粉體電極 高度有序 取向生長 同步完成 物理結構 制備工藝 組裝步驟 草酸鎳 草酸鈷 電解水 電解液 附著 垂直 遷移 | ||
1.一種草酸鹽納米片陣列薄膜電極的制備方法，其特征在于，所述草酸鹽納米片陣列薄膜電極包括導電基片和附著于所述導電基片表面的草酸鹽納米片陣列薄膜；制備方法包括以下步驟：
步驟一、向水熱釜中加入去離子水，然后加入可溶性草酸鹽，攪拌30min～60min后加入過渡金屬鹽，攪拌20min～40min，得到混合溶液；所述過渡金屬鹽包括鎳鹽或鈷鹽；每70mL去離子水中加入可溶性草酸鹽的量為2mmol～4mmol，過渡金屬鹽的量為2mmol～4mmol；
步驟二、將經超聲刻蝕處理的導電基片放入步驟一所述混合溶液中，密封所述水熱釜進行水熱反應；所述水熱反應的溫度為130℃～180℃，水熱反應時間為3h～24h；
步驟三、取出導電基片，用去離子水沖洗，烘干，得到草酸鹽納米片陣列薄膜電極。
2.根據權利要求1所述的一種草酸鹽納米片陣列薄膜電極的制備方法，其特征在于，所述草酸鹽納米片陣列薄膜為多孔結構。
3.根據權利要求1所述的一種草酸鹽納米片陣列薄膜電極的制備方法，其特征在于，所述草酸鹽納米片陣列薄膜的厚度為0.5μm～3μm；單個草酸鹽納米片的厚度為10nm～100nm。
4.根據權利要求1所述的一種草酸鹽納米片陣列薄膜電極的制備方法，其特征在于，步驟一中所述可溶性草酸鹽為草酸鈉、草酸鉀或草酸銨，所述鎳鹽為硝酸鎳、硫酸鎳或醋酸鎳，所述鈷鹽為硝酸鈷、硫酸鈷或醋酸鈷。
5.根據權利要求1所述的一種草酸鹽納米片陣列薄膜電極的制備方法，其特征在于，步驟一中所述攪拌均為磁力攪拌。
6.根據權利要求1所述的一種草酸鹽納米片陣列薄膜電極的制備方法，其特征在于，步驟二中所述導電基片為不銹鋼、鈦、鎳或銅。
7.根據權利要求1或6所述的一種草酸鹽納米片陣列薄膜電極的制備方法，其特征在于，所述導電基片為致密型導電基片或具有多孔結構的導電基片。
8.根據權利要求1所述的一種草酸鹽納米片陣列薄膜電極的制備方法，其特征在于，步驟二中所述超聲刻蝕處理的方法為：將清洗干凈的導電基片置于1.0mol/L～6.0mol/L的鹽酸溶液中超聲刻蝕15min～30min，將超聲刻蝕后的導電基片用去離子水清洗干凈。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于重慶理工大學，未經重慶理工大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811186738.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
