[發(fā)明專利]一種晶圓鍵合方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811185428.2
• 申請日: 2018-10-11
• 公開（公告）號: CN109461695A
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郭松輝;沈新林;吳孝哲;吳龍江;林宗賢
• 申請（專利權(quán)）人: 德淮半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L21/3105;H01L27/146
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種晶圓鍵合方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供至少兩片晶圓，所述晶圓的表面包括氧化硅層；

對至少一片所述晶圓的氧化硅層進(jìn)行氨化處理，以在所述氧化硅層的表面形成氨基介質(zhì)層；

通過所述氨基介質(zhì)層將所述晶圓鍵合，以在所述晶圓鍵合面形成超臨界狀態(tài)的氨氣。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于：在鍵合所述晶圓的過程中，在所述晶圓鍵合面生成有水，所述水的狀態(tài)包括超臨界狀態(tài)及氣態(tài)中的一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于：形成所述氧化硅層的方法包括原子層沉積法、化學(xué)氣相沉積法及原位生長法中的一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于：所述氨化處理的方法包括磁控濺射等離子體氨化處理、電感耦合等離子體氨化處理及DPN處理中的一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于：形成所述超臨界狀態(tài)的氨氣的反應(yīng)溫度的范圍包括132.4℃～350℃，且反應(yīng)壓強(qiáng)的范圍包括11.28MPa～20MPa。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于：在鍵合所述晶圓的步驟中，還包括回火的步驟。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于：鍵合所述晶圓的步驟中包括等離子體活化處理及清洗處理的步驟。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓鍵合方法，其特征在于：所述等離子體活化處理的工作氣體包括氮?dú)饧把鯕庵械囊环N或組合；所述清洗處理的步驟所采用的清洗液包括去離子水、含氨的清洗液及含氫氟酸的清洗液中的一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓鍵合方法，其特征在于：所述晶圓鍵合面形成的氣泡的面積與所述晶圓鍵合面的面積的比值范圍包括0.1％～1％。

10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中任一所述的晶圓鍵合方法，其特征在于：所述晶圓鍵合方法包括應(yīng)用于制備SOI及背照式CMOS中的一種。