[發(fā)明專利]一種有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811184473.6 | 申請日: | 2018-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN111048698B | 公開(公告)日: | 2022-07-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 許楊;黃志剛 | 申請(專利權(quán))人: | 上海新微技術(shù)研發(fā)中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京知元同創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11535 | 代理人: | 劉元霞 |
| 地址: | 201800 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 有機(jī) 發(fā)光二極管 結(jié)構(gòu) 制造 方法 | ||
1.一種有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法,包括:
在襯底表面形成陽極結(jié)構(gòu),其中,相鄰的所述陽極結(jié)構(gòu)之間具有間隔區(qū);
形成隔絕材料膜,所述隔絕材料膜覆蓋所述陽極結(jié)構(gòu)的所述間隔區(qū),以及所述陽極結(jié)構(gòu),所述隔絕材料膜的厚度為第一厚度;
采用干法刻蝕,將所述隔絕材料膜減薄到第二厚度;
刻蝕減薄后的所述隔絕材料膜,露出各陽極結(jié)構(gòu)的至少部分,使得所述隔絕材料膜覆蓋各陽極結(jié)構(gòu)的位于所述間隔區(qū)周圍的一部分;
在所述隔絕材料膜的表面以及從所述隔絕材料膜露出的所述陽極結(jié)構(gòu)的表面形成有機(jī)發(fā)光材料膜;以及
在所述有機(jī)發(fā)光材料膜表面形成陰極薄膜。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法,其中,
所述陽極結(jié)構(gòu)為鋁(Al)和氧化銦錫(ITO)疊層。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法,其中,
所述干法刻蝕所用的氣體包含碳(C)、氟(F)和氧(O)元素。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制造方法,其中,
所述隔絕材料膜的材料是旋轉(zhuǎn)涂布的玻璃(SOG),等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)的氧化物,或者光刻膠。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光材料及有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)半導(dǎo)體組合物以及有機(jī)薄膜和具有該有機(jī)薄膜的有機(jī)薄膜元件
- 有機(jī)材料和包括該有機(jī)材料的有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光元件、有機(jī)發(fā)光裝置、有機(jī)顯示面板、有機(jī)顯示裝置以及有機(jī)發(fā)光元件的制造方法
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- 有機(jī)水稻使用的有機(jī)肥
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- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
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