[發明專利]薄膜晶體管及其制造方法

在審

• 申請號: 201811183212.2
• 申請日: 2018-10-11
• 公開（公告）號: CN109378345A
• 公開（公告）日: 2019-02-22
• 發明（設計）人: 孟小龍;張瑞軍
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300
• 代理人: 黃威

本申請實施例公開了一種薄膜晶體管及其制造方法，所述薄膜晶體管中，通過在基板上依次形成柵極層、柵極絕緣層、半導體層、源極層、漏極層以及鈍化層，鈍化層形成在柵極絕緣層、源極層、漏極層以及溝道區的半導體層上，其中對應于溝道區的鈍化層具有凹凸表面，通過上述方式，能夠確保開口率的同時，可以減少照射到薄膜晶體管的半導體層溝道區上的光線，有利于提升薄膜晶體管的穩定性。

技術領域

本申請涉及薄膜晶體管技術領域，具體涉及一種薄膜晶體管及其制造方法。

背景技術

薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)作為一種開關器件廣泛應用于顯示面板中，如液晶顯示面板、OLED顯示面板等，其電性穩定性是影響顯示面板性能的關鍵因素之一。

半導體溝道層是TFT的結構組成部分，其在受到光照后容易形成電子空穴對，從而形成電流，將會對TFT的電性特性造成不良影響，降低TFT的穩定性。而在TFT的工作環境中，如應用于液晶顯示面板時，TFT將會受到背光和外界光的照射，這些光線都會對TFT的電性特性產生一定的影響，現有技術通常是加大柵極層的面積來阻擋背光，以減少照射到TFT溝道層的光線，然而加大柵極層的面積將會相應地犧牲像素電極的部分面積，降低顯示面板的開口率。

發明內容

本申請實施例提供一種薄膜晶體管及其制造方法，能夠確保開口率的同時，可以減少照射到薄膜晶體管的半導體層溝道區上的光線，有利于提升薄膜晶體管的穩定性。

本申請實施例提供一種薄膜晶體管，包括：

基板；

形成于所述基板上的柵極層；

形成于所述基板上、且覆蓋所述柵極層的柵極絕緣層；

形成于所述柵極絕緣層上的半導體層，所述半導體層包括溝道區；

形成于所述半導體層上的源極層和漏極層，所述源極層和漏極層間隔所述溝道區而相對設置；

形成于所述柵極絕緣層、源極層、漏極層以及所述半導體層的溝道區上的鈍化層；

其中，對應于所述溝道區的鈍化層具有凹凸表面。

其中，所述凹凸表面為凹凸均勻的鋸齒狀表面。

其中，所述溝道區的垂直投影區域位于所述柵極層的垂直投影區域內，對應于所述柵極層的鈍化層具有凹凸表面。

其中，對應于所述漏極層的鈍化層設置有通孔，所述通孔用于實現所述漏極層和透明電極層的連接。

其中，所述鈍化層為SiNx層，所述半導體層為A-si層。

本申請實施例還提供一種薄膜晶體管的制造方法，包括：

提供基板；

在所述基板上形成柵極層；

在所述基板上和所述柵極層上形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成半導體層；

在所述半導體層上形成源極層和漏極層，所述源極層和漏極層間隔設置，以在所述源極層和所述漏極層之間形成所述半導體層的溝道區；

在所述柵極絕緣層、源極層、漏極層以及所述半導體層的溝道區上形成鈍化層；

對所述鈍化層進行蝕刻，以使得對應于所述溝道區的鈍化層具有凹凸表面。

其中，所述對所述鈍化層進行蝕刻，包括：

提供一光罩，所述光罩上設置有多個第一透光孔和一個第二透光孔，所述第一透光孔的寬度小于曝光機的解析度；