[發(fā)明專(zhuān)利]一種熒光陶瓷及其制備方法、光源裝置和投影裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811182871.4
• 申請(qǐng)日: 2018-10-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111039660B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-10-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李乾;陳雨叁;王艷剛;許顏正
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳光峰科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C04B35/10
• 分類(lèi)號(hào): C04B35/10;C04B35/622;C09K11/80;C09K11/02;G03B21/20
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 王新春;姚鵬

1.一種熒光陶瓷，所述熒光陶瓷包括氧化鋁基質(zhì)相及均勻分散于氧化鋁基質(zhì)相中的發(fā)光中心，其特征在于，所述發(fā)光中心為通過(guò)氫焰熔融法制備的球形熒光單晶顆粒，所述球形熒光單晶顆粒具有光滑的球形外表面；所述球形熒光單晶顆粒為YAG:Ce晶粒。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光陶瓷，其特征在于，所述球形熒光單晶顆粒的粒徑大小相同，所述球形熒光單晶顆粒的粒徑大小為30-50μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光陶瓷，其特征在于，所述球形熒光單晶顆粒的粒徑大小不同，所述球形熒光單晶顆粒的粒徑大小為20-80μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光陶瓷，其特征在于，所述球形熒光單晶顆粒的質(zhì)量為所述熒光陶瓷總質(zhì)量的15-90wt％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的熒光陶瓷，其特征在于，所述球形熒光單晶顆粒的質(zhì)量為所述熒光陶瓷總質(zhì)量的40-60wt％。

6.一種光源裝置，其特征在于，包括激發(fā)光源和權(quán)利要求1～5任一所述的熒光陶瓷，所述激發(fā)光源能夠發(fā)出激發(fā)光用于激發(fā)所述熒光陶瓷發(fā)出受激發(fā)光。

7.一種投影裝置，用于投影成像，其特征在于，包括權(quán)利要求6所述的光源裝置。

8.一種熒光陶瓷的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：通過(guò)氫焰熔融法制備球形熒光單晶顆粒，所述球形熒光單晶顆粒為YAG:Ce晶粒；

S2：原料混合，

根據(jù)熒光陶瓷的化學(xué)計(jì)量稱(chēng)取氧化物原料粉，裝入聚四氟乙烯球磨罐中，添加適量的乙醇作為研磨溶劑，添加適量的陶瓷分散劑作為分散劑，用超低磨失率的氧化鋯球進(jìn)行球磨，球磨時(shí)間為1-72h，球磨結(jié)束后再將步驟S1中制備得到的所述球形熒光單晶顆粒添加到所述球磨罐中以進(jìn)行第二次球磨，第二次球磨的時(shí)間為10-120min，干燥獲得原料粉；

S3：壓片成型，

將步驟S2中制備得到的適量原料粉末裝入石墨模具中，在5-15MPa壓強(qiáng)下進(jìn)行預(yù)壓制，得到陶瓷生坯；

S4：陶瓷燒結(jié)，

將S3得到的陶瓷生坯放入熱壓燒結(jié)爐內(nèi)，在氬氣氣氛下進(jìn)行燒結(jié)，燒結(jié)溫度1250-1650℃，保溫30min-6h，燒結(jié)壓力為30-200MPa燒結(jié)完成后，卸除壓力并隨爐冷卻，得到所述熒光陶瓷。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述球磨時(shí)間為24-36h，所述燒結(jié)壓力為40-60MPa 。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述氧化物原料粉包括氧化釔和氧化鎂，其中氧化釔含量為氧化鋁的0.05-1wt％，氧化鎂含量為氧化鋁的0.05-1wt％。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述氧化物原料粉包括氧化釔和氧化鎂，其中所述氧化釔和所述氧化鎂的粒徑為0.05-0.1μm。