[發明專利]水密線路板制作方法在審
| 申請號: | 201811182421.5 | 申請日: | 2018-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN109346414A | 公開(公告)日: | 2019-02-15 |
| 發明(設計)人: | 胡川;燕英強;郭躍進;皮迎軍;劉俊軍 | 申請(專利權)人: | 深圳市修頤投資發展合伙企業(有限合伙) |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L21/52;H01L21/56 |
| 代理公司: | 廣州天河澤睿專利代理事務所(普通合伙) 44430 | 代理人: | 胡婧嫻 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南山*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 絕緣層 布線層 電子零件 連通孔 密封 線路板制作 包封 水密 引腳 水密性封裝 基層 工藝步驟 水密材料 引腳位置 電連接 封裝體 功耗 減小 覆蓋 制作 | ||
1.一種水密線路板制作方法,其特征在于,包括:
將帶有零件引腳的電子零件設置于密封基層上;
在所述密封基層上覆蓋第一絕緣層,所述第一絕緣層與所述密封基層將所述電子零件包封;
在所述第一絕緣層上制作第一連通孔,所述第一連通孔與所述電子零件的零件引腳位置對應;
在所述第一絕緣層上設置布線層,所述布線層通過所述第一連通孔與所述零件引腳電連接;
在所述布線層上設置第二絕緣層,所述第二絕緣層與所述第一絕緣層將所述布線層包封;
所述第一絕緣層和/或所述第二絕緣層是水密材料。
2.根據權利要求1所述的水密線路板制作方法,其特征在于,在制作所述布線層之前,將所述第一絕緣層面向所述布線層一側的表面平坦化。
3.根據權利要求1所述的水密線路板制作方法,其特征在于,在所述第二絕緣層上制作第二連通孔,所述第二連通孔將至少部分的所述布線層露出。
4.根據權利要求3所述的水密線路板制作方法,其特征在于,在所述第二絕緣層上制作外引腳,所述外引腳通過所述第二連通孔與所述布線層電連接。
5.根據權利要求1所述的水密線路板制作方法,其特征在于,在所述第二絕緣層上設置密封蓋層,所述密封蓋層朝向所述電子零件的一側設有蓋層凹槽,所述蓋層凹槽與所述電子零件位置對應。
6.根據權利要求1所述的水密線路板制作方法,其特征在于,所述密封基層具有貼片凹槽,所述電子零件設置于所述貼片凹槽內;
或者,在將所述電子零件設置于所述密封基層之前,在所述密封基層上制作貼片凹槽,所述電子零件設置于所述貼片凹槽內。
7.根據權利要求1所述的水密線路板制作方法,其特征在于,將帶有貼片孔的貼片模板設置于所述密封基層上,將所述電子零件設置于所述貼片孔內。
8.根據權利要求7所述的水密線路板制作方法,其特征在于,將所述貼片模板粘貼于所述密封基層;或者,將所述電子零件通過所述貼片孔設置于所述密封基板上。
9.根據權利要求7所述的水密線路板制作方法,其特征在于,所述貼片模板包括至少兩層層疊設置的貼片層,所述貼片層設有所述貼片孔,相鄰兩層所述貼片層的貼片孔相連通或錯開。
10.根據權利要求1至9任一項所述的水密線路板制作方法,其特征在于,所述第一絕緣層或/和所述第二絕緣層是水密材料。
11.根據權利要求1至9任一項所述的水密線路板制作方法,其特征在于,所述第一絕緣層或/和所述第二絕緣層為低溫玻璃、液晶高分子聚合物、派瑞林、鋁氧化物、硅氧化物當中的其中一種材料、或者其中兩種以上的材料構成的復合材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





