[發明專利]一種影像傳感芯片的嵌入式封裝結構和制作方法在審
| 申請號: | 201811181878.4 | 申請日: | 2018-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN109326620A | 公開(公告)日: | 2019-02-12 |
| 發明(設計)人: | 秦飛;趙帥;張理想;肖智軼 | 申請(專利權)人: | 北京工業大學 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203 | 代理人: | 劉萍 |
| 地址: | 100124 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 影像傳感芯片 嵌入式封裝結構 非功能面 焊墊 基板 開口 玻璃蓋板 導電線路 第二表面 封裝結構 基板凹槽 基板背面 基板鍵合 聚合物 功能面 功能區 基板背 熱失配 電性 減小 鍵合 圍堰 制作 嵌入 芯片 暴露 緩解 概率 延伸 污染 | ||
1.一種影像傳感芯片的嵌入式封裝結構,其特征在于,包括至少一基板(1),一影像傳感芯片(3),一玻璃蓋板(5);所述基板含有第一表面(101)和與其相對的第二表面(102);所述基板的第一表面(101)上形成有至少一向所述第二表面(102)延伸的凹槽(103);所述影像傳感芯片(3)含有功能面(301)和與其相對的非功能面(302),所述功能面含有若干焊墊(303)和功能區(304);所述非功能面(302)覆蓋有第一粘結層(4);所述影像傳感芯片(3)的非功能面(302)通過第一粘結層(4)與所述凹槽(103)的底面粘結,且所述基板(1)的第一表面(101)高于所述影像傳感芯片(3)的功能面(301)20μm以上;所述凹槽(103)的底面的尺寸大于所述影響傳感芯片(3)的非功能面(302)的尺寸,使得所述凹槽(103)的內壁(104)和所述影像傳感芯片(3)的側面(305)之間存在間隙;所述玻璃蓋板(5)的表面通過第二粘結層(6)與所述基板(1)的第一表面(101)粘結;所述基板(1)的第二表面(102)具有第二開口(105);所述第一粘結層(4)具有第三開口(401),所述影像傳感芯片(3)的非功能面(302)對應焊墊(303)的位置設有暴露各個焊墊的第四開口(306);所述基板(1)的第二表面(102)的第二開口(105)和第一粘結層(4)的第三開口(401)對應所述影像傳感芯片(3)的非功能面(302)的第四開口(306)的位置;所述第二開口(105)與第三開口(401),第四開口(306)連接形成通孔;所述通孔內壁及基板(1)的第二表面(102)依次設置有鈍化層(7),金屬布線層(8),阻焊層(9)及導電凸點(10)。
2.根據權利要求1所述的影像芯片的封裝結構,其特征在于,所述基板(1)是硅基板,玻璃基板,石英基板,陶瓷基板的一種。
3.根據權利要求1所述的影像芯片的封裝結構,其特征在于,所述基板(1)的第一表面(101)比所述影像傳感芯片(3)的功能面(301)高20-50μm。
4.根據權利要求1所述的影像芯片的封裝結構,其特征在于,所述凹槽(103)的內壁(104)和所述影像傳感芯片(3)的側面(305)之間存在的間隙在10-20μm。
5.根據權利要求1所述的影像芯片的封裝結構,其特征在于,所述封裝結構將一個影像芯片嵌入到一個基板上,或者將兩個以上的不同結構的影像芯片同時嵌入到一個基板上,形成雙攝或者陣列影像傳感芯片封裝結構。
6.根據權利要求1所述的影像芯片的封裝結構,其特征在于,所述導電凸點(10)和金屬布線層(8)所圍的面積不小于所述影像傳感芯片(3)的功能面(303)或非功能面(304)的面積。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





