[發(fā)明專利]線路化電容結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811181848.3 | 申請日: | 2018-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN110943071B | 公開(公告)日: | 2021-08-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 盧盈維;方柏翔;陳冠達;江東昇 | 申請(專利權(quán))人: | 矽品精密工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/522 | 分類號: | H01L23/522;H01L23/60 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王錦陽 |
| 地址: | 中國臺灣臺中*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 線路 電容 結(jié)構(gòu) | ||
一種線路化電容結(jié)構(gòu),包括:絕緣體、貫穿該絕緣體的第一導電通孔與第二導電通孔、嵌埋于該絕緣體中且電性連接該第二導電通孔的第一線路層、嵌埋于該絕緣體中且電性連接該第一導電通孔或第二導電通孔的第二線路層、設(shè)于該絕緣體上且電性連接該第一導電通孔或空間隔離該第一導電通孔的第三線路層、以及設(shè)于該絕緣體上且電性連接該第一導電通孔或第二導電通孔的第四線路層,以經(jīng)由線路化設(shè)計以令該線路化電容結(jié)構(gòu)作為直流阻流器,進而提供電子產(chǎn)品靜電防護。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明有關(guān)一種電容結(jié)構(gòu),尤指一種線路化電容結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
隨著近年來移動通訊裝置(如智能手機、平板等)的發(fā)展,移動通訊裝置已可采用無線充電方式進行充電,其中,該移動通訊裝置或充電座中的電容作為直流阻流器(DCblock),以抵抗靜電放電(Electrostatic Discharge,簡稱ESD),避免瞬間的大電壓的靜電破壞電路。
目前該移動通訊裝置或充電座中大多采用積層陶瓷電容(Multi-layer CeramicCapacitor,簡稱MLCC),因其具有低成本、大電容值及技術(shù)成熟等優(yōu)點。
然而,悉知積層陶瓷電容中,因其尺寸的特性,使其崩潰電壓(break downvoltage)難以增大(最大約3KV),故當超過最大承受電壓的靜電進入該積層陶瓷電容中時,容易造成該積層陶瓷電容毀損。
因此,如何克服上述悉知技術(shù)的問題,實已成目前亟欲解決的課題。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述悉知技術(shù)的缺失,本發(fā)明提供一種線路化電容結(jié)構(gòu),以提供電子產(chǎn)品靜電防護。
本發(fā)明的線路化電容結(jié)構(gòu)包括:絕緣體;第一導電通孔,其貫穿該絕緣體;第二導電通孔,其貫穿該絕緣體;第一線路層,其嵌埋于該絕緣體中且電性連接該第二導電通孔;第二線路層,其嵌埋于該絕緣體中且電性連接該第一或第二導電通孔;第三線路層,其設(shè)于該絕緣體上且接觸連接該第一導電通孔或空間隔離該第一導電通孔;以及第四線路層,其設(shè)于該絕緣體上且電性連接該第一或第二導電通孔。
前述的線路化電容結(jié)構(gòu)中,該絕緣體包含一具有相對第一表面與第二表面的絕緣層、設(shè)于該絕緣層的第一表面上的第一介電層、及設(shè)于該絕緣層的第二表面上的第二介電層。具體地,該第一線路層設(shè)于該絕緣層的第一表面與該第一介電層之間,該第三線路層設(shè)于該第一介電層上,該第二線路層設(shè)于該絕緣層的第二表面與該第二介電層之間,且該第四線路層設(shè)于該第二介電層上。例如,形成該第一及/或第二介電層的材質(zhì)包含二氧化鋁、三氧化二鋁或鈦酸鋇。
于一實施例中,該絕緣層所包含的材質(zhì)與該第一及/或第二介電層所包含的材質(zhì)為相同,但該絕緣層所包含的材質(zhì)的比例與該第一及/或第二介電層所包含的材質(zhì)的材質(zhì)的比例為不相同。或者,該絕緣層所包含的材質(zhì)與該第一及/或第二介電層所包含的材質(zhì)為不相同。
于一實施例中,該線路化電容結(jié)構(gòu)呈并聯(lián)狀態(tài),且該第一及/或第二介電層的介電系數(shù)于1MHz下為4.4。或者,該線路化電容結(jié)構(gòu)呈并聯(lián)狀態(tài),且該第一及/或第二介電層的崩潰電壓為5KV。
于一實施例中,該線路化電容結(jié)構(gòu)呈串聯(lián)狀態(tài),且該第一及/或第二介電層的介電系數(shù)于1MHz下為10。或者,該線路化電容結(jié)構(gòu)呈串聯(lián)狀態(tài),且該第一及/或第二介電層的崩潰電壓為2.5KV~3.5KV。
前述的線路化電容結(jié)構(gòu)中,該第二線路層電性連接該第一導電通孔,該第三線路層接觸連接該第一導電通孔,該第四線路層電性連接該第二導電通孔,以令該第一至第四線路層及該第一至第二導電通孔作為并聯(lián)式電容配置。例如,該第二線路層、第三線路層及第一導電通孔作為第一電極,且該第一線路層、第四線路層及第二導電通孔作為第二電極。進一步,該第一電極為正極,且該第二電極為負極。或者,該第一電極為負極,且該第二電極為正極。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于矽品精密工業(yè)股份有限公司,未經(jīng)矽品精密工業(yè)股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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