[發(fā)明專利]卡盤工作臺機構在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811181553.6 | 申請日: | 2018-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN109671662A | 公開(公告)日: | 2019-04-23 |
| 發(fā)明(設計)人: | 關家一馬 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帥;喬婉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 卡盤工作臺 靜電吸附 多孔部 上表面 對板 狀物 真空吸附部 工作臺機構 同一水平面 電極設置 電力提供 復合卡盤 電極 微細 板狀物 對電極 復合力 吸引口 吸引源 帶電 負壓 翹曲 吸附 連通 | ||
提供卡盤工作臺機構,能夠對翹曲的形狀的板狀物進行保持。卡盤工作臺機構是具有卡盤工作臺、靜電吸附部以及真空吸附部的復合卡盤工作臺機構。卡盤工作臺具有作為對板狀物進行保持的保持面的上表面。靜電吸附部具有電極,該電極設置于卡盤工作臺的內部,通過被提供電力而使作為保持面的上表面帶電,從而對板狀物進行靜電吸附。真空吸附部具有多孔部,該多孔部與上表面形成為同一水平面且與吸引源連通,并且設置有作為吸引口的微細的孔。控制單元實施對電極的電力提供和對多孔部的負壓提供,通過復合力對板狀物進行吸附。
技術領域
本發(fā)明涉及卡盤工作臺機構。
背景技術
公知有對形成有半導體器件或LED(Light Emitting Diode:發(fā)光二極管)等光器件的硅、藍寶石、鉭酸鋰、碳化硅等晶片或在內部搭載有器件芯片的封裝器件基板等各種板狀物進行分割、磨削、或干蝕刻的加工裝置。
例如,利用切削刀具對板狀物進行分割的切削裝置和利用磨削磨具對板狀物進行薄化的磨削裝置通過真空吸附將板狀物固定于卡盤工作臺的保持面而實施加工(例如,參照專利文獻1)。
專利文獻1:日本特開2011-044473號公報
對于專利文獻1所示的卡盤工作臺機構,當不利用強力的真空單元對因成膜等的影響而成為碗型或山型的晶片或由于磨削加工中所形成的破碎層的影響而產生翹曲形狀的晶片等進行吸引時,負壓會泄漏而導致晶片等從保持面分離。因此,專利文獻1所示的卡盤工作臺機構為了對翹曲的晶片等板狀物進行保持而使用強力的吸引源,或者需要設置提高吸引力那樣的特殊機構。
另外,當在減壓腔室內對板狀物進行保持的情況下,利用靜電卡盤工作臺對板狀物進行保持。靜電卡盤工作臺能夠對緊貼在保持面上的板狀物產生強力的吸引力,但當載置于保持面的晶片等板狀物翹曲而從保持面分離時,存在下述問題:無法對板狀物作用基于靜電的吸附力,從而無法對板狀物進行保持。
發(fā)明內容
本發(fā)明是鑒于該問題點而完成的,其目的在于提供卡盤工作臺機構,能夠對翹曲的板狀物進行保持。
為了解決上述課題而實現目的,本發(fā)明的卡盤工作臺機構是具有靜電吸附部和真空吸附部的復合卡盤工作臺機構,其中,該卡盤工作臺機構具有:卡盤工作臺,其具有對板狀物進行保持的保持面;電極,其設置于該卡盤工作臺的內部,通過被提供電力而使該保持面帶電,從而對該板狀物進行靜電吸附;吸引口,其形成于該保持面且與吸引源連通;以及控制單元,其實施對該電極的電力提供和對該吸引口的負壓提供,通過復合力對該板狀物進行吸附。
本申請發(fā)明的卡盤工作臺機構起到下述的效果:能夠對翹曲的板狀物進行保持。
附圖說明
圖1是示出實施方式1的卡盤工作臺機構所保持的板狀物的立體圖。
圖2是示出在圖1所示的板狀物的正面上粘貼有粘接帶的狀態(tài)的立體圖。
圖3是示出具有實施方式1的卡盤工作臺機構的磨削裝置的一部分的結構的圖。
圖4是實施方式1的卡盤工作臺機構的側剖視圖。
圖5是示出圖4所示的卡盤工作臺機構對板狀物進行保持的狀態(tài)的側剖視圖。
圖6是示出實施方式2的卡盤工作臺機構對板狀物進行保持的狀態(tài)的側剖視圖。
標號說明
1:卡盤工作臺機構;2:卡盤工作臺;3:靜電吸附部;4:真空吸附部;5:控制單元;21:上表面(保持面);31:正極電極(電極);32:負極電極(電極);43:吸引源;45:微細的孔(吸引口)。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





