[發明專利]一種新型電極結構LED倒裝芯片及制備方法在審
| 申請號： | 201811180592.4 | 申請日： | 2018-10-09 |
| 公開（公告）號： | CN109148666A | 公開（公告）日： | 2019-01-04 |
| 發明（設計）人： | 吳懿平;區燕杰;呂衛文 | 申請（專利權）人： | 珠海市一芯半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/40 | 分類號： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京權智天下知識產權代理事務所(普通合伙) 11638 | 代理人： | 王新愛 |
| 地址： | 519000 廣東省珠海市國家高新技術開發區唐家*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鎳電極 金屬層 緩釋 新型電極結構 倒裝LED芯片 蓋層 制備 合金 焊料 焊接可靠性 金屬層材料 金屬層結構 層疊結構 層狀結構 金屬鍍膜 金屬介質 芯片電極 電鍍 低成本 電極面 化學鍍 濺鍍 良率 鎳層 錫膏 蒸鍍 封裝 芯片 生長 生產 | ||
1.一種具有新型電極結構的倒裝LED芯片，其特征在于，所述的芯片電極結構為層疊結構的鎳電極，所述鎳電極結構由內至外為包含依次生長的應力緩釋金屬層、含Ni層和蓋層金屬層等成分的層狀結構。
2.根據權利要求1所述一種具有新型電極結構的倒裝LED芯片，其特征在于：所述鎳電極的應力緩釋金屬層材料為Cr、Ti、Zn、Al、Cu、Al-Si合金、Al-Cu合金、Fe、W、Au、Sn、Pt或Al-Cu-Si合金中的一種或幾種；所述蓋層金屬層材料為Au或Pt金屬。
3.根據權利要求1或2所述的鎳電極結構，其特征在于：所述應力緩釋金屬層厚度為1-1000nm，所述含Ni層厚度為0.1-20um，所述在LED芯片電極面的金屬介質上生長的Au層厚度為10-1000nm。
4.根據權利要求3所述一種具有新型電極結構的倒裝LED芯片，其特征在于：所述鎳電極結構包含依次生長的作為應力緩釋金屬層的Al層、含Ni層為Ni層和蓋層金屬層為Au層。
5.根據權利要求3所述一種具有新型電極結構的倒裝LED芯片，其特征在于：所述鎳電極應力緩釋金屬層材料為Cr、Ti、Al或Pt中的一種或幾種。
6.根據權利要求3所述一種具有新型電極結構的倒裝LED芯片，其特征在于：所述鎳電極應力緩釋金屬層材料為Cr、Al、Al-Si合金、Al-Cu合金或Al-Cu-Si合金中的一種或幾種。
7.一種具有新型電極結構的倒裝LED芯片的制備方法，其特征在于：所述鎳電極的制備方法包括以下步驟：在芯片的電極面金屬介質上依次蒸鍍、濺鍍、化學鍍或電鍍應力緩釋金屬層，含Ni層和蓋層金屬層。
8.根據權利要求7所述一種具有新型電極結構的倒裝LED芯片的制備方法，其特征在于：所述鎳電極的制備方法包括以下步驟：在芯片的電極面金屬介質上依次物理氣相沉積蒸鍍Ti層，Ni層和Au層。
9.根據權利要求7所述的一種具有新型電極結構的倒裝LED芯片的制備方法，其特征在于：所述鎳電極的制備方法包括以下步驟：在芯片的電極面金屬介質上依次物理氣相蒸鍍Al層，化學鍍Ni層和Au層。
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