[發(fā)明專利]一種對InSb晶片拋光用陶瓷盤的清洗方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811176041.0 | 申請日： | 2018-10-10 |
| 公開（公告）號： | CN109365391A | 公開（公告）日： | 2019-02-22 |
| 發(fā)明（設計）人： | 孔忠弟;趙超;彭志強 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第十一研究所 |
| 主分類號： | B08B3/12 | 分類號： | B08B3/12;B08B3/08;B08B3/02;B08B13/00 |
| 代理公司： | 工業(yè)和信息化部電子專利中心 11010 | 代理人： | 于金平 |
| 地址： | 100015*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 陶瓷盤 清洗 晶片拋光 表面平整度 表面沾污 拋光工藝 拋光晶片 清洗工藝 優(yōu)化晶片 成品率 高效率 拋光 晶片 去除 優(yōu)化 | ||
【權利要求書】：
1.一種對InSb晶片拋光用陶瓷盤的清洗方法，其特征在于，包括：
通過粘有純的CMOS-Ⅱ級異丙醇的無塵布擦洗陶瓷盤表面；
將所述陶瓷盤放入預設清洗夾具中，并利用預制的清洗液對所述陶瓷盤進行清洗，其中，所述清洗液為使用電子級NaOH粉末和純水配置出的PH值為11～13的NaOH溶液；
將裝有陶瓷盤的清洗夾具放入超聲波清洗機中進行浸泡和清洗，浸泡時的洗液溫度為40～80℃，浸泡時間24～48小時，清洗的超聲頻率為25～30KHz，清洗的超聲功率為1800～2500W，清洗時的洗液溫度為40～80℃，清洗時間30～100min；
將清洗后的陶瓷盤后放入純水中沖洗10～20min；
將所述陶瓷盤放入烘箱中進行烘干，設定烘箱溫度為60～90℃，對所述陶瓷盤進行烘干。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，
所述清洗夾具采用316不銹鋼以及聚四氟材料制作。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，
所述洗液溫度為60℃。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，
所述烘箱溫度為80℃。
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