[發明專利]一種Ti3 有效
| 申請號： | 201811176010.5 | 申請日： | 2018-10-10 |
| 公開（公告）號： | CN110105087B | 公開（公告）日： | 2022-04-22 |
| 發明（設計）人： | 胡春峰;索爾沃托瑞·格拉索;朱德貴;范龍鳳 | 申請（專利權）人： | 西南交通大學 |
| 主分類號： | C04B41/00 | 分類號： | C04B41/00;C01B32/921 |
| 代理公司： | 成都中匯天健專利代理有限公司 51257 | 代理人： | 劉雨田 |
| 地址： | 610000 四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 ti base sub | ||
【權利要求書】：
1.一種Ti3C2薄膜表面官能團的調控方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)以Ti3AlC2陶瓷粉為原料，在水浴中對其進行刻蝕；
(2)調整上述溶液p H值，使得上層清液為中性；
(3)取出下層粉末繼續進行離心分散、超聲剝離得到Ti3C2納米懸浮液；
(4)利用上述懸浮液支撐陶瓷薄膜；
將Ti3C2陶瓷薄膜作為前驅體對其進行微波處理；微波處理功率為100～2000W，處理時間為1～40s；Ti3C2陶瓷薄膜的厚度為5μm；
刻蝕劑為36％濃度的鹽酸和LiF；鹽酸與LiF與Ti3AlC2陶瓷粉體的比為30∶1.89∶1.5。
2.根據權利要求1所述的一種Ti3C2薄膜表面官能團的調控方法，其特征在于，以400目的Ti3AlC2 陶瓷粉體為原料。
3.根據權利要求1所述的一種Ti3C2薄膜表面官能團的調控方法，其特征在于，水浴刻蝕溫度為40℃，時間為24h。
4.根據權利要求1所述的一種Ti3C2薄膜表面官能團的調控方法，其特征在于，步驟(2)中使用去離子水清洗至上層清液為中性。
5.根據權利要求1所述的一種Ti3C2薄膜表面官能團的調控方法，其特征在于，上述步驟(4)中懸浮液通過真空抽濾獲得陶瓷薄膜，并在60℃條件下進行干燥。
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