[發明專利]可提高離子探測效率的質譜系統

有效

• 申請號: 201811173315.0
• 申請日: 2018-10-09
• 公開（公告）號: CN109346396B
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 李曉旭;吳海燕;張禮朋;錢潔;張曙光;張英軍;葛賽金
• 申請（專利權）人: 蘇州大學
• 主分類號: H01J49/26
• 分類號: H01J49/26;H01J49/42
• 代理公司: 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257
• 代理人: 郭磊;楊慧林

1.一種可提高離子探測效率的質譜系統，其特征在于，包括線性離子阱和離子探測器；

所述線性離子阱由兩對相對平行放置的柱狀電極，即一對X電極和一對Y電極，一對端蓋薄片電極即一對Z電極構成，至少其中一對柱狀電極的中央設置有離子引出槽；

在線性離子阱的離子出射方向的一對電極即X電極上配置不同比例射頻電壓；

所述配置方式為：在Y上下電極和X左電極都配置幅值為VRF、頻率為f的RF電壓，而X右電極上配置(1-β)倍RF電壓,X和Y電極上所加的RF電壓的初相位剛好相差180度，且β在0.01至0.15之間則非對稱射頻電壓比率ρ1在1％至15％之間；

電子倍增器放置在帶有離子出射槽的電極旁側；

其中，同時在X左右電極上施加幅值相等、相位相差180°的共振激發信號，所述配置不同比例射頻電壓的一對電極為X電極，另一對電極即為Y電極，使得被電場束縛在離子阱中央的大于80％的離子按照質荷比的順序依次從配置幅值較小射頻電壓所相對的電極上的離子引出槽彈出，并被所述旁側的電子倍增器所檢測，進而完成質譜分析。

2.如權利要求1所述的可提高離子探測效率的質譜系統，其特征在于，所述柱狀電極是半圓柱柱狀電極、三角形柱狀電極、雙曲線柱狀電極或者矩形柱狀電極。

3.一種可提高離子探測效率的質譜系統，其特征在于，包括線性離子阱和離子探測器；

所述線性離子阱由兩對相對平行放置的柱狀電極，即一對X電極和一對Y電極，一對端蓋薄片電極即一對Z電極構成，至少其中一對柱狀電極的中央設置有離子引出槽；

在線性離子阱的離子出射方向的一對電極即X電極上配置不同比例射頻電壓；

所述配置方式為：在Y上下電極配置幅值為VRF、頻率為f的RF電壓，在X左電極配置(1+α)倍的RF電壓，而X右電極上配置幅值為(1-α)倍RF電壓，X和Y電極上所加的RF電壓的初相位剛好相差180°，且α在0.01至0.07之間則非對稱射頻電壓比率ρ2在1％至7％之間；

電子倍增器放置在帶有離子出射槽的電極旁側；

其中，同時在X左右電極上施加幅值相等、相位相差180°的共振激發信號，所述配置不同比例射頻電壓的一對電極為X電極，另一對電極即為Y電極，使得被電場束縛在離子阱中央的大于80％的離子按照質荷比的順序依次從配置幅值較小射頻電壓所相對的電極上的離子引出槽彈出，并被所述旁側的電子倍增器所檢測，進而完成質譜分析。

4.如權利要求3所述的可提高離子探測效率的質譜系統，其特征在于，所述柱狀電極是半圓柱柱狀電極、三角形柱狀電極、雙曲線柱狀電極或者矩形柱狀電極。