[發(fā)明專利]訓(xùn)練人工智能更正存儲(chǔ)裝置的對(duì)數(shù)概度比的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811173062.7 | 申請(qǐng)日: | 2018-10-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110969256A | 公開(公告)日: | 2020-04-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 彭祥恩;吳昇翰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳衡宇芯片科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G06N20/00 | 分類號(hào): | G06N20/00;G06N3/063;G06F7/556 |
| 代理公司: | 北京律和信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11446 | 代理人: | 武玉琴;冷文燕 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 訓(xùn)練 人工智能 更正 存儲(chǔ) 裝置 對(duì)數(shù) 方法 | ||
本發(fā)明提供一種訓(xùn)練人工智能更正存儲(chǔ)裝置的對(duì)數(shù)概度比的方法,包含以下步驟:(a)定義多種存儲(chǔ)狀態(tài);(b)分類記憶單元;(c)計(jì)算強(qiáng)正確區(qū)的多個(gè)記憶單元數(shù)量,占強(qiáng)正確區(qū)與弱正確區(qū)總和的記憶單元數(shù)量的強(qiáng)正確比例;(d)計(jì)算強(qiáng)錯(cuò)誤區(qū)的多個(gè)記憶單元數(shù)量,占強(qiáng)錯(cuò)誤區(qū)與弱錯(cuò)誤區(qū)總和的記憶單元數(shù)量的強(qiáng)錯(cuò)誤比例;(e)計(jì)算分類在弱正確區(qū)與弱錯(cuò)誤區(qū)的記憶單元的數(shù)量以取得直方圖參數(shù);(f)輸入比例以及參數(shù)至人工智能類神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng);以及(g)使用機(jī)器學(xué)習(xí)分析出實(shí)作對(duì)數(shù)概度比。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)于一種存儲(chǔ)裝置,且特別是有關(guān)于一種訓(xùn)練人工智能更正存儲(chǔ)裝置的對(duì)數(shù)概度比的方法。
背景技術(shù)
現(xiàn)在內(nèi)存應(yīng)用越來越普及化,在使用過程中會(huì)隨著抹除與寫入次數(shù)一些因素造成內(nèi)存內(nèi)部損傷,進(jìn)而造成錯(cuò)誤率上升,使得非揮發(fā)性內(nèi)存(non-volatile memory)可靠度急速下降,因此可以通過可靠性設(shè)計(jì)技術(shù),特別是更正錯(cuò)誤技術(shù)來提高非揮發(fā)性內(nèi)存的可靠性,可以讓產(chǎn)品更為長壽與穩(wěn)定。
為了確保延長非揮發(fā)性內(nèi)存的使用壽命,控制電路中會(huì)設(shè)計(jì)錯(cuò)誤更正模塊,對(duì)從非揮發(fā)性內(nèi)存讀出來的數(shù)據(jù)進(jìn)行錯(cuò)誤糾正,消除非揮發(fā)性內(nèi)存因?yàn)橥庠谝蛩卦斐傻腻e(cuò)誤。傳統(tǒng)上,主流的錯(cuò)誤更正編碼都是采用BCH(Bose-Chaudhuri-Hochquenghem)Code,這種編碼的計(jì)算速度相當(dāng)快,糾正能力隨著冗余位越多,更正能力會(huì)越強(qiáng)。但是隨著非揮發(fā)性內(nèi)存制造技術(shù)越來越高,BCH編碼技術(shù)已經(jīng)無法提供足夠的更正能力,所以開始轉(zhuǎn)向使用在通信領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的低密度奇偶檢查碼(Low Density Parity Code,LDPC)糾錯(cuò)技術(shù),借由強(qiáng)大的更正能力開始成為存儲(chǔ)領(lǐng)域中的新趨勢。
發(fā)明內(nèi)容
為解決背景技術(shù)的缺失,本發(fā)明的目的在于提供一種訓(xùn)練人工智能更正存儲(chǔ)裝置的對(duì)數(shù)概度比的方法,適用于存儲(chǔ)裝置,存儲(chǔ)裝置包含多個(gè)記憶單元,記憶單元存儲(chǔ)一或多個(gè)位元值,位元值為邏輯0或邏輯1,訓(xùn)練人工智能更正存儲(chǔ)裝置的對(duì)數(shù)概度比的方法包含以下步驟:
(a)定義多個(gè)存儲(chǔ)狀態(tài),多個(gè)存儲(chǔ)狀態(tài)包含強(qiáng)正確區(qū)、弱正確區(qū)、強(qiáng)錯(cuò)誤區(qū)以及弱錯(cuò)誤區(qū);
(b)依據(jù)各記憶單元的存儲(chǔ)狀態(tài),分類記憶單元屬于強(qiáng)正確區(qū)、弱正確區(qū)、強(qiáng)錯(cuò)誤區(qū)或弱錯(cuò)誤區(qū);
(c)計(jì)算分類在強(qiáng)正確區(qū)的多個(gè)記憶單元數(shù)量,占分類在強(qiáng)正確區(qū)與弱正確區(qū)總和的多個(gè)記憶單元數(shù)量的強(qiáng)正確比例;
(d)計(jì)算分類在強(qiáng)錯(cuò)誤區(qū)的多個(gè)記憶單元數(shù)量,占分類在強(qiáng)錯(cuò)誤區(qū)與弱錯(cuò)誤區(qū)總和的多個(gè)記憶單元數(shù)量的強(qiáng)錯(cuò)誤比例;
(e)計(jì)算分類在弱正確區(qū)的多個(gè)記憶單元的數(shù)量,與分類在弱錯(cuò)誤區(qū)的多個(gè)記憶單元的數(shù)量,加總的直方圖參數(shù);
(f)輸入強(qiáng)正確比例、強(qiáng)錯(cuò)誤比例以及直方圖參數(shù)至人工智能類神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng);以及
(g)使用機(jī)器學(xué)習(xí)基于強(qiáng)正確比例、強(qiáng)錯(cuò)誤比例以及直方圖參數(shù),以分析出實(shí)作對(duì)數(shù)概度比。
優(yōu)選地,所述訓(xùn)練人工智能更正存儲(chǔ)裝置的對(duì)數(shù)概度比的方法還包含以下步驟:
(h)利用查表存儲(chǔ)多個(gè)初始對(duì)數(shù)概度比;
(i)從所述查表選擇其中一所述初始對(duì)數(shù)概度比,作為目標(biāo)對(duì)數(shù)概度比;
(j)輸入所述目標(biāo)對(duì)數(shù)概度比、所述強(qiáng)正確比例、所述強(qiáng)錯(cuò)誤比例以及所述直方圖參數(shù)至人工智能類神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng);
(k)使用機(jī)器學(xué)習(xí)基于所述目標(biāo)對(duì)數(shù)概度比、所述強(qiáng)正確比例、所述強(qiáng)錯(cuò)誤比例以及所述直方圖參數(shù),分析出預(yù)測對(duì)數(shù)概度比;以及
(l)比對(duì)所述預(yù)測對(duì)數(shù)概度比與所述目標(biāo)對(duì)數(shù)概度比的差值是否小于差值門限值,若是,將所述預(yù)測對(duì)數(shù)概度比作為所述實(shí)作對(duì)數(shù)概度比,若否,執(zhí)行步驟(i)從所述查表選擇另一所述初始對(duì)數(shù)概度比作為所述目標(biāo)對(duì)數(shù)概度比,接著基于所述另一初始對(duì)數(shù)概度比依序執(zhí)行步驟(k)~(l)。
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