[發明專利]核殼結構納米晶的制備方法

在審

• 申請號: 201811171925.7
• 申請日: 2018-10-09
• 公開（公告）號: CN111019629A
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發明（設計）人: 程陸玲;楊一行
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: C09K11/02
• 分類號: C09K11/02;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 黃志云

1.一種核殼結構納米晶的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供量子點核；

在所述量子點核表面進行N次殼層生長，制備N層殼層，得到核殼結構納米晶，用于所述殼生長的殼源包括殼源陽離子前驅體和殼源陰離子前驅體，所述殼源陽離子前驅體為金屬有機羧酸鹽；

在不同次序的M次相鄰殼層生長步驟之間，向已形成前一殼層的殼層生長反應體系中加入有機胺進行混合和加熱后，再進行后一殼層的生長；

其中，N為大于等于2的正整數；

M為正整數，且M的取值滿足：N/3≤M≤N-1。

2.如權利要求1所述的核殼結構納米晶的制備方法，其特征在于，所述有機胺選自碳原子個數為8-18的有機胺。

3.如權利要求2所述的核殼結構納米晶的制備方法，其特征在于，所述有機胺選自含有單個氨基的直鏈有機胺。

4.如權利要求1所述的核殼結構納米晶的制備方法，其特征在于，在所述的不同次序的M次相鄰殼層生長步驟之間，包括在不同次序的L次的相鄰殼層生長步驟之間，向已形成前一殼層的殼層生長反應體系中加入有機胺和有機膦進行混合和加熱后，再進行后一殼層的生長，其中，L為正整數，且L≤M。

5.如權利要求1至3任一項所述的核殼結構納米晶的制備方法，其特征在于，M＝N-1。

6.如權利要求4所述的核殼結構納米晶的制備方法，其特征在于，L＝M＝N-1；

和/或，所述有機膦選自三辛基膦、三丁基膦中的至少一種。

7.如權利要求1所述的核殼結構納米晶的制備方法，其特征在于，當M<N-1時，還包括在不同次序的S次相鄰殼層生長步驟之間，向已形成前一殼層的殼層生長反應體系中加入有機膦進行混合和加熱后，再進行后一殼層的生長的步驟，其中，所述S次相鄰殼層生長步驟之間是指未向已形成前一殼層的殼層生長反應體系中加入有機胺或有機胺和有機膦進行混合和加熱處理的若干相鄰殼層生長步驟之間，所述S為正整數，且1≤S≤(N-1)-M。

8.如權利要求7所述的核殼結構納米晶的制備方法，其特征在于，所述有機膦選自三辛基膦、三丁基膦中的至少一種。

9.如權利要求1所述的核殼結構納米晶的制備方法，其特征在于，所述量子點核為II/VI族量子點核。

10.如權利要求1、4或7任一項所述的核殼結構納米晶的制備方法，其特征在于，所述在所述不同次序的M次相鄰殼層生長步驟之間，在向已形成前一殼層的殼層生長反應體系中加入有機胺進行混合和加熱后，先將殼源陰離子前驅體加入殼層生長反應體系，再將殼源陽離子前驅體加入殼層生長反應體系進行后一殼層生長。

11.如權利要求1所述的核殼結構納米晶的制備方法，其特征在于，所述殼源陽離子前驅體選自Cd、Zn和Pb的有機金屬羧酸鹽中的至少一種，所述殼源陰離子前驅體選自將Te、Se和S單質分散到有機分子中形成的陰離子配合物或者硫醇；

和/或，所述量子點核為II-VI族量子點核。

12.如權利要求1所述的核殼結構納米晶的制備方法，其特征在于，制備的N層殼層中，每一層殼層厚度為0.1-2nm，N的取值范圍為6-18。

13.如權利要求1所述的核殼結構納米晶的制備方法，其特征在于，在不同次序的M次相鄰殼層生長步驟之間，向已形成前一殼層的殼層生長反應體系中加入有機胺進行混合和加熱后，再進行后一殼層的生長的步驟中，按所述有機胺摩爾與所述量子點核的質量比為(0.2～0.9mmol):10mg向已形成前一殼層的殼層生長反應體系中加入有機胺。