[發明專利]a-Si TFT器件驅動的主動背光LED光源板及背光模組

在審

• 申請號: 201811169335.0
• 申請日: 2018-10-08
• 公開（公告）號: CN111092092A
• 公開（公告）日: 2020-05-01
• 發明（設計）人: 閆曉林;林智遠;馬剛;謝相偉;陳光郎
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L29/786;H01L29/10;H01L29/06;H01L29/417;G09G3/34;G09G3/32;G02F1/13357
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 張全文

1.一種光源板，其特征在于，包括多個發光單元；每一所述發光單元包括發光元件以及驅動所述發光元件的驅動薄膜晶體管；所述驅動薄膜晶體管包括第一柵極、第一有源層、第一源極和第一漏極，所述第一源極和第一漏極交錯分布，所述第一源極和第一漏極之間形成曲折的間隙。

2.如權利要求1所述的光源板，其特征在于，定義所述第一源極和第一漏極在襯底平面內的投影分別為平面幾何體A與平面幾何體B，A與B滿足如下條件：

A與B的面積均不為0；

處于B的邊緣的點集里，超過80％的點到A的距離相同且為d1，另外少于20％的點到A的距離均大于d1；處于A的邊緣的點集里，超過80％的點到B的距離相同且為d2，另外少于20％的點到B的距離均大于d2。

3.如權利要求2所述的光源板，其特征在于，A與B的邊長L_A與L_B、面積S_A與S_B滿足如下條件：L_A²/S_A10⁴，L_B²/S_B10⁴。

4.如權利要求1所述的光源板，其特征在于，所述驅動薄膜晶體管的投影在所述發光單元中的面積占比為70％～95％。

5.如權利要求1所述的光源板，其特征在于，所述交錯分布包括梳齒狀交錯分布，所述溝道的至少一部分呈方波狀。

6.如權利要求1所述的光源板，其特征在于，所述交錯分布包括螺旋狀交錯分布，所述溝道的至少一部分呈螺旋狀。

7.如權利要求1所述的光源板，其特征在于，所述驅動薄膜晶體管上設有鈍化層，所述發光元件經由所述鈍化層上的第一過孔與所述驅動薄膜晶體管的第一漏極電性連接。

8.如權利要求1所述的光源板，其特征在于，所述驅動薄膜晶體管包括多層子薄膜晶體管，相鄰兩層所述子薄膜晶體管之間以鈍化層分隔，每一所述子薄膜晶體管包括子柵極、子源極和子漏極，各層所述子柵極通過第一電導體連通，各層所述子源極通過第二電導體連通，各層所述子漏極通過第三電導體連通。

9.如權利要求8所述的光源板，其特征在于，所述第一電導體貫穿各所述鈍化層和各柵極絕緣層，所述第二電導體貫穿各所述鈍化層和各柵極絕緣層，所述第三電導體貫穿各所述鈍化層和各柵極絕緣層。

10.如權利要求1所述的光源板，其特征在于，所述光源板還包括行控制線和列控制線，所述發光單元還包括開關薄膜晶體管和電容，所述開關薄膜晶體管包括第二柵極、第二有源層、第二源極和第二漏極，所述第二柵極連接于所述行控制線，所述第二源極連接于所述列控制線，所述第二漏極連接于所述第一柵極，所述電容的一端連接于所述第一柵極與第二漏極之間，所述電容的另一端連接于所述第一漏極與驅動電源的負極之間。

11.如權利要求10所述的光源板，其特征在于，所述開關薄膜晶體管和電容位于所述驅動薄膜晶體管的一側或中心；所述發光元件的投影位于所述發光單元的中心位置或邊緣位置。

12.如權利要求1所述的光源板，其特征在于，所述發光單元的邊長為10～100毫米。

13.一種背光模組，其特征在于，包括權利要求1至12中任一項所述的光源板。