[發(fā)明專利]非共形氧化物襯墊及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811169148.2
• 申請日: 2018-10-08
• 公開（公告）號: CN110504169B
• 公開（公告）日: 2023-06-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林民和;陳俊纮;于雄飛;徐志安
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 北京東方億思知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11258
• 代理人: 桑敏

1.一種用于制造非共形氧化物襯墊的方法，包括：

形成突出于襯底上方的鰭；

在所述鰭的上表面上方并且沿著所述鰭的側(cè)壁形成共形氧化物層；

執(zhí)行各向異性氧化物沉積或各向異性等離子體處理以在所述鰭的上表面上方并且沿著所述鰭的側(cè)壁形成非共形氧化物層，其中，所述各向異性氧化物沉積是等離子體工藝，其中，所述等離子體工藝包括多個循環(huán)，并且其中，所述等離子體工藝使用包括硅的前體并且使用包括氧氣的氣體源來執(zhí)行；以及

在所述鰭的上方形成柵極電極，所述共形氧化物層和所述非共形氧化物層位于所述鰭和所述柵極電極之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述鰭的上表面上方布置的所述非共形氧化物層比沿著所述鰭的側(cè)壁布置的所述非共形氧化物層更厚。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述各向異性氧化物沉積或所述各向異性等離子體處理在形成所述共形氧化物層之前被執(zhí)行。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述各向異性氧化物沉積或所述各向異性等離子體處理在形成所述共形氧化物層之后被執(zhí)行。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述氧氣通過由射頻RF電源驅(qū)動的電容耦合等離子體CCP系統(tǒng)被激活成等離子體，其中，所述RF電源的功率在10W和1500W之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述RF電源在所述等離子體工藝的每個循環(huán)中被反復接通和關(guān)閉。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述RF電源在所述等離子體工藝的每個循環(huán)中被持續(xù)接通0.05秒和180秒之間的持續(xù)時間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述氣體源還包括載氣，其中，所述等離子體工藝的壓力在1000毫托和8000毫托之間，所述氧氣的流量在50標準立方厘米每分鐘sccm和5000sccm之間，并且所述氧氣的流量與所述氣體源的總流量之間的比率在1％與20％之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述各向異性等離子體處理將所述鰭的外部部分轉(zhuǎn)化成所述非共形氧化物層，其中，轉(zhuǎn)化的非共形氧化物層在所述鰭的上表面處比沿著所述鰭的側(cè)壁更厚。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述各向異性等離子體處理包括多個循環(huán)并且使用包括氧氣和載氣的氣體源來執(zhí)行，所述氧氣在所述各向異性等離子體處理的每個循環(huán)中針對0.05秒和180秒之間的時間段被激活成等離子體，并且所述各向異性等離子體處理的功率在10W和1500W之間。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述各向異性等離子體處理的壓力在1000毫托和8000毫托之間，所述氧氣的流量在50標準立方厘米每分鐘sccm和5000sccm之間，并且所述氧氣的流量與所述氣體源的總流量之間的比率在1％和20％之間。

12.一種用于制造非共形氧化物襯墊的方法，包括：

形成鰭；

在所述鰭的相反側(cè)上形成隔離區(qū)域；

在所述鰭的頂表面上方和側(cè)壁上方形成第一氧化物層，其中，所述第一氧化物層是非共形的并且從所述鰭的頂表面連續(xù)延伸到所述隔離區(qū)域，其中，所述鰭的頂表面上方的所述第一氧化物層具有第一厚度，并且沿著所述鰭的側(cè)壁的所述第一氧化物層具有第二厚度，其中，所述第一厚度大于所述第二厚度；

在所述鰭的頂表面上方并且沿著所述鰭的側(cè)壁形成第二氧化物層，其中，所述第二氧化物層是共形的，其中，所述第二氧化物層在所述鰭的頂表面上方并且沿著所述鰭的側(cè)壁具有相同的厚度，其中，所述第二氧化物層包括沿著所述鰭的側(cè)壁從所述鰭的頂表面連續(xù)延伸到所述隔離區(qū)域的第一部分，所述第二氧化物層的第一部分實體接觸所述第一氧化物層；以及

在所述鰭上方和所述第一氧化物層上方形成柵極電極。