[發(fā)明專利]存儲(chǔ)設(shè)備管理方法、裝置及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811165301.4
• 申請(qǐng)日: 2018-09-30
• 公開（公告）號(hào): CN109343800B
• 公開（公告）日: 2021-11-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王浩;吳大畏;李曉強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市得一微電子有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): G06F3/06
• 分類號(hào): G06F3/06
• 代理公司: 深圳市世紀(jì)恒程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287
• 代理人: 胡海國;高麗晶

本發(fā)明公開了一種存儲(chǔ)設(shè)備管理方法、裝置及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。其中，所述存儲(chǔ)設(shè)備管理方法包括以下步驟：獲取存儲(chǔ)設(shè)備中的目標(biāo)塊；獲取所述目標(biāo)塊的多個(gè)讀寫參數(shù)，并從所述多個(gè)讀寫參數(shù)中獲取所述目標(biāo)塊的最優(yōu)讀寫參數(shù)；根據(jù)所述最優(yōu)讀寫參數(shù)判斷所述目標(biāo)塊是否為可用塊；若所述目標(biāo)塊為可用塊，則將所述可用塊與所述最優(yōu)讀寫參數(shù)關(guān)聯(lián)保存，并調(diào)用所述最優(yōu)讀寫參數(shù)對(duì)所述可用塊進(jìn)行讀寫操作。本發(fā)明具有提高存儲(chǔ)設(shè)備讀寫速度、延長存儲(chǔ)設(shè)備壽命的優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及存儲(chǔ)設(shè)備管理方法、裝置及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)

現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)存儲(chǔ)設(shè)備中的大部分塊即將達(dá)到最大擦除次數(shù)或者出錯(cuò)較大時(shí)，存儲(chǔ)設(shè)備即進(jìn)入生命后期狀態(tài)；而讀寫參數(shù)由生產(chǎn)廠商預(yù)先寫入，在存儲(chǔ)設(shè)備中基本不會(huì)改變，然而隨著使用環(huán)境因素等發(fā)生改變，這些固定的讀寫參數(shù)會(huì)導(dǎo)致進(jìn)入生命后期狀態(tài)的存儲(chǔ)設(shè)備在讀寫時(shí)間出現(xiàn)大量的糾錯(cuò)、解碼等過程，導(dǎo)致存儲(chǔ)設(shè)備讀寫速度降低；同時(shí)根據(jù)預(yù)先寫入的讀寫參數(shù)導(dǎo)致存儲(chǔ)設(shè)備無法正確讀取數(shù)據(jù)時(shí)，存儲(chǔ)設(shè)備將被判定為報(bào)廢/不可用，導(dǎo)致存儲(chǔ)設(shè)備的使用壽命縮短。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于提供一種存儲(chǔ)設(shè)備管理方法、裝置及可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，旨在現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)入生命后期狀態(tài)后存儲(chǔ)設(shè)備讀寫速度降低、壽命減短的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種存儲(chǔ)設(shè)備管理方法，所述存儲(chǔ)設(shè)備管理方法包括以下步驟：

獲取存儲(chǔ)設(shè)備中的目標(biāo)塊；

獲取所述目標(biāo)塊的多個(gè)讀寫參數(shù)，并從所述多個(gè)讀寫參數(shù)中獲取所述目標(biāo)塊的最優(yōu)讀寫參數(shù)；

根據(jù)所述最優(yōu)讀寫參數(shù)判斷所述目標(biāo)塊是否為可用塊；

若所述目標(biāo)塊為可用塊，則將所述可用塊與所述最優(yōu)讀寫參數(shù)關(guān)聯(lián)保存，并調(diào)用所述最優(yōu)讀寫參數(shù)對(duì)所述可用塊進(jìn)行讀寫操作。

優(yōu)選地，所述根據(jù)所述最優(yōu)讀寫參數(shù)判斷所述目標(biāo)塊是否為可用塊的步驟包括：

根據(jù)所述最優(yōu)讀寫參數(shù)對(duì)所述目標(biāo)塊進(jìn)行讀寫操作時(shí)，判斷所述目標(biāo)塊是否可進(jìn)行糾錯(cuò)操作；

若是，則將所述目標(biāo)塊判定為可用塊，并將所述可用塊存入可用塊列表。

優(yōu)選地，所述獲取存儲(chǔ)設(shè)備中的目標(biāo)塊的步驟之后，還包括：

判斷所述存儲(chǔ)設(shè)備是否處于空閑狀態(tài)；

若是，則執(zhí)行獲取所述目標(biāo)塊的多個(gè)讀寫參數(shù)的步驟。

優(yōu)選地，所述獲取存儲(chǔ)設(shè)備中的目標(biāo)塊的步驟包括：

獲取儲(chǔ)備設(shè)備中每個(gè)塊的磨損次數(shù)，標(biāo)記磨損次數(shù)大于預(yù)設(shè)次數(shù)的塊作為所述目標(biāo)塊；及/或

獲取儲(chǔ)備設(shè)備中的壞塊及/或出錯(cuò)較多的塊，將所述壞塊及/或出錯(cuò)較多的塊作為所述目標(biāo)塊。

優(yōu)選地，所述讀寫參數(shù)包括對(duì)數(shù)似然比、閾值判定電壓及跳列，所述最優(yōu)讀寫參數(shù)包括最優(yōu)對(duì)數(shù)似然比、最優(yōu)閾值判定電壓及最優(yōu)跳列。

優(yōu)選地，所述讀寫參數(shù)包括對(duì)數(shù)似然比，所述獲取所述目標(biāo)塊的多個(gè)讀寫參數(shù)，并從所述多個(gè)讀寫參數(shù)中獲取所述目標(biāo)塊的最優(yōu)讀寫參數(shù)的步驟包括：

獲取所述目標(biāo)塊的所有頁在多次讀寫操作時(shí)的出錯(cuò)信息；

根據(jù)所述出錯(cuò)信息及預(yù)設(shè)計(jì)算規(guī)則計(jì)算得到多個(gè)對(duì)數(shù)似然比；

根據(jù)所述多個(gè)對(duì)數(shù)似然比進(jìn)行糾錯(cuò)操作時(shí)，將糾錯(cuò)能力最強(qiáng)的對(duì)數(shù)似然比作為最優(yōu)對(duì)數(shù)似然比。

優(yōu)選地，所述讀寫參數(shù)包括閾值判定電壓，所述獲取所述目標(biāo)塊的多個(gè)讀寫參數(shù)，并從所述多個(gè)讀寫參數(shù)中獲取所述目標(biāo)塊的最優(yōu)讀寫參數(shù)的步驟包括：

獲取按照多個(gè)閾值判定電壓進(jìn)行數(shù)據(jù)寫入操作時(shí)對(duì)應(yīng)的多個(gè)出錯(cuò)概率；