[發明專利]一種振蕩電路在審

申請號：	201811164489.0	申請日：	2018-10-05
公開（公告）號：	CN109194288A	公開（公告）日：	2019-01-11
發明（設計）人：	徐中干	申請（專利權）人：	杭州展虹科技有限公司
主分類號：	H03B5/12	分類號：	H03B5/12
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	310012 浙江省杭州市***	國省代碼：	浙江;33
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摘要：
搜索關鍵詞：	振蕩電路電阻電容
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【權利要求書】：

1.一種振蕩電路，其特征在于：包括第一電阻、第一NMOS管、第二電阻、第一電容、第

三電阻、第二NMOS管、第四電阻和第三NMOS管；

所述第一電阻的一端接電源電壓VCC，另一端接所述第一NMOS管的漏極和所述第二電阻的一端和所述第二NMOS管的柵極；所述第一NMOS管的柵極接所述第四電阻的一端和所述第三NMOS管的漏極，漏極接所述第一電阻的一端和所述第二電阻的一端和所述第二NMOS管的柵極，源極接地；所述第二電阻的一端接所述第一電阻的一端和所述第一NMOS管的漏極和所述第二NMOS管的柵極，另一端接所述第一電容的一端；所述第一電容的一端接所述第二電阻的一端，另一端接地；所述第三電阻的一端接電源電壓VCC，另一端接所述第二NMOS管的漏極和所述第三NMOS管的柵極；所述第二NMOS管的柵極接所述第一電阻的一端和所述第一NMOS管的漏極和所述第二電阻的一端，漏極接所述第三電阻的一端和所述第三NMOS管的柵極，源極接地；所述第四電阻的一端接電源電壓VCC，另一端接所述第三NMOS管的漏極和所述第一NMOS管的柵極并作為振蕩器的輸出端OSCOUT；所述第三NMOS管的柵極接所述第三電阻的一端和所述第二NMOS管的漏極，漏極接所述第四電阻的一端和所述第一NMOS管的柵極并作為振蕩器的輸出端OSCOUT，源極接地。

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