[發(fā)明專利]一種單相非隔離MOSFET并網(wǎng)逆變器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811163527.0
• 申請日: 2018-09-30
• 公開（公告）號: CN108988675A
• 公開（公告）日: 2018-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 肖文勛;胡建雨;張波;黃子田
• 申請（專利權(quán)）人: 華南理工大學(xué)
• 主分類號: H02M7/5387
• 分類號: H02M7/5387;H02J3/38
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 何淑珍

1.一種單相非隔離MOSFET并網(wǎng)逆變器，其特征在于包括第一開關(guān)管（S₁）、第二開關(guān)管（S₂）、第三開關(guān)管（S₃）、第四開關(guān)管（S₄）、第五開關(guān)管（S₅）、第六開關(guān)管（S₆）、第一二極管（VD₁）、第二二極管（VD₂）、第一電感（L₁）、第二電感（L₂）和直流輸入電容（C_dc）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種單相非隔離MOSFET并網(wǎng)逆變器其主要特征在于：直流母線的正極與直流輸入電容（C_dc）的一端、第一開關(guān)管（S₁）的漏極和第三開關(guān)管（S₃）的漏極連接；直流母線的負極與直流輸入電容（C_dc）的另一端、第二開關(guān)管（S₂）的源極和第四開關(guān)管（S₄）的源極連接；第一開關(guān)管（S₁）的源極與第一二極管（VD₁）的陰極和第六開關(guān)管（S₆）的漏極連接；第一二極管（VD₁）的陽極與第五開關(guān)管（S₅）的源極、第二開關(guān)管（S₂）的漏極和第二電感（L₂）的一端連接；第二電感（L₂）的另一端與電網(wǎng)一端連接；第三開關(guān)管（S₃）的源極與第二二極管（VD₂）的陰極和第五開關(guān)管（S₅）的漏極連接；第二二極管（VD₂）的陽極與第六開關(guān)管（S₆）的源極、第一電感（L₁）的一端和第四開關(guān)管（S₄）的漏極連接；第一電感（L₁）的另一端與電網(wǎng)的另一端相連。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種單相非隔離MOSFET并網(wǎng)逆變器，其特征在于：所述開關(guān)管均采用N溝道增強型MOSFET。