[發明專利]量子點及其制備方法

在審

• 申請號: 201811157455.9
• 申請日: 2018-09-30
• 公開（公告）號: CN110964507A
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發明（設計）人: 聶志文;楊一行
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: C09K11/02
• 分類號: C09K11/02;C09K11/70;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 深圳中一專利商標事務所 44237
• 代理人: 官建紅

1.一種量子點，其特征在于，包括III-V族量子點核和結合在所述III-V族量子點核表面的鹵離子和氫氧根離子；其中，所述鹵離子和氫氧根離子與所述III-V族量子點核表面的III族陽離子結合。

2.如權利要求1所述的量子點，其特征在于，所述III-V族量子點核的材料選自GaP、GaN、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InP、InAs、InSb、GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb和InPGa中的至少一種；和/或

所述III族陽離子選自銦離子、鎵離子和鋁離子中的至少一種；和/或

所述鹵離子選自氯離子、溴離子和碘離子中的至少一種。

3.如權利要求1或2所述的量子點，其特征在于，所述量子點還包括一外殼層，所述外殼層的材料為II-VI族半導體材料，所述外殼層包覆所述III-V族量子點核以及結合在所述III-V族量子點核表面的鹵離子和氫氧根離子。

4.如權利要求3所述的量子點，其特征在于，所述II-VI族半導體材料選自CdS、CdSe、CdO、CdTe、HgO、HgS、HgTe、HgSe、ZnSe、ZnS、ZnTe、ZnO、MgSe、MgS、MgTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、MgZnSe和MgZnS中的至少一種；和/或

所述外殼層的厚度為3-5nm。

5.一種量子點的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供III族陽離子前驅體和配體，所述III族陽離子前驅體包括一種或多種金屬鹵化物前驅體以及一種或多種金屬氧化物前驅體和/或一種或多種金屬氫氧化物前驅體；將所述III族陽離子前驅體和配體溶于溶劑中，在第一溫度條件下進行加熱處理，得到混合溶液；

將所述混合溶液繼續升溫至第二溫度，然后向所述混合溶液中加入V族陰離子前驅體，進行成核反應，得到III-V族量子點核溶液。

6.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述成核反應完成后，即刻將第二II族陽離子前驅體和VI族陰離子前驅體加入所述III-V族量子點核溶液中，在第三溫度條件下進行外殼層生長，在III-V族量子點核表面形成II-VI族半導體外殼層，得到核殼量子點溶液。

7.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述金屬鹵化物前驅體選自氯化銦、溴化銦、碘化銦、氯化鎵、溴化鎵、碘化鎵、氯化鋁、溴化鋁和碘化鋁中的至少一種；和/或

所述金屬氧化物前驅體選自氧化銦、氧化鋁和氧化鎵中的至少一種；和/或

所述金屬氫氧化物前驅體選自氫氧化鎵、氫氧化銦和氫氧化鋁中的至少一種；和/或

所述V族陰離子前驅體選自三(三甲硅烷基)膦，三(三甲鍺烷基)膦、三(二甲胺基)磷，三(二乙氨基)磷、三乙基膦、三丁基膦、三辛基膦、三苯基膦、三環己基膦、三(三甲硅烷基)砷、三(二甲胺基)砷，三(二乙氨基)砷、三乙基砷、三丁基砷、三辛基砷、三苯基砷、三環己基砷、氧化砷、氯化砷、溴化砷、碘化砷、硫化砷和氨氣中的至少一種；和/或

所述配體選自油酸、C4-C20飽和脂肪酸、被C6-C22烷基取代的膦、被C6-C22烷基取代的氧膦、C6-C22伯胺、C6-C22仲胺和C6-C40叔胺中的至少一種；和/或

所述溶劑選自C6-C40脂族烴、C6-C30芳族烴、含氮雜環化合物、C12-C22芳族醚中的至少一種。