[發明專利]一種晶圓刻蝕設備及晶圓刻蝕方法在審
| 申請號： | 201811157384.2 | 申請日： | 2018-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN109473378A | 公開（公告）日： | 2019-03-15 |
| 發明（設計）人： | 劉希飛;劉家樺;葉日銓 | 申請（專利權）人： | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 223300 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶圓 熱處理腔體 刻蝕 加熱系統 晶圓表面 刻蝕腔體 排氣系統 半導體設備 刻蝕設備 種晶 殘留 刻蝕氣體 氫溴酸 去除 凝結 腐蝕 | ||
1.一種晶圓刻蝕設備，其特征在于：所述晶圓刻蝕設備包括：
刻蝕腔體，所述刻蝕腔體提供包含HBr的刻蝕氣體，以對晶圓進行刻蝕；
熱處理腔體，所述熱處理腔體包括加熱系統及排氣系統，且所述熱處理腔體的工作溫度不小于所述刻蝕腔體的工作溫度，所述晶圓經所述刻蝕腔體刻蝕后，進入所述熱處理腔體，并通過所述加熱系統及排氣系統排除所述晶圓表面殘留的HBr。
2.根據權利要求1所述的晶圓刻蝕設備，其特征在于：所述晶圓刻蝕設備還包括冷卻腔體。
3.根據權利要求1所述的晶圓刻蝕設備，其特征在于：所述熱處理腔體的工作溫度的范圍包括65℃～75℃。
4.根據權利要求1所述的晶圓刻蝕設備，其特征在于：所述熱處理腔體與所述刻蝕腔體具有相同的工作溫度。
5.根據權利要求1所述的晶圓刻蝕設備，其特征在于：所述熱處理腔體中的氣體包括氮氣及惰性氣體中的一種或組合。
6.根據權利要求1所述的晶圓刻蝕設備，其特征在于：所述加熱系統包括電加熱裝置及水加熱裝置中的一種或組合。
7.根據權利要求1所述的晶圓刻蝕設備，其特征在于：所述加熱系統還包括溫度程序控制表。
8.根據權利要求1所述的晶圓刻蝕設備，其特征在于：所述排氣系統還包括氣控閥。
9.根據權利要求1所述的晶圓刻蝕設備，其特征在于：所述熱處理腔體容納的所述晶圓的片數的范圍包括1～30。
10.一種晶圓刻蝕方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供晶圓；
提供權利要求1～9中任一所述晶圓刻蝕設備；
將所述晶圓置于所述刻蝕腔體中，采用包含HBr的刻蝕氣體對所述晶圓進行刻蝕；
將所述晶圓置于所述熱處理腔體中，通過所述加熱系統及排氣系統排除所述晶圓表面殘留的HBr。
11.根據權利要求10所述的晶圓刻蝕方法，其特征在于：所述晶圓在經過所述熱處理腔體處理之后，還包括進入冷卻腔體的步驟。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
