[發(fā)明專利]應(yīng)力探測裝置與應(yīng)力探測矩陣系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811157312.8 | 申請日： | 2018-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN109282930A | 公開（公告）日： | 2019-01-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 閆培光;陳浩;尹金德;邢鳳飛 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳大學(xué) |
| 主分類號： | G01L5/00 | 分類號： | G01L5/00 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 袁文英 |
| 地址： | 518060 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 應(yīng)力探測 層狀材料 二維 硅襯底 探測組件 矩陣系統(tǒng) 探測電路 襯底 凹槽結(jié)合 電極電性 間接測量 兩側(cè)設(shè)置 外部應(yīng)力 應(yīng)力測量 裝置結(jié)構(gòu) 準(zhǔn)確度 電極 微米級 一空腔 貼合 測量 應(yīng)用 | ||
1.一種應(yīng)力探測裝置，其特征在于，所述裝置包括硅襯底與探測組件，所述硅襯底設(shè)置有凹槽，所述探測組件包括柔性襯底、二維層狀材料片及探測電路；
所述二維層狀材料片設(shè)置于所述柔性襯底的表面，所述二維層狀材料片與所述硅襯底的表面相貼合，且所述二維層狀材料片與所述凹槽結(jié)合形成一空腔；
所述凹槽的兩側(cè)設(shè)置有電極，所述探測電路與所述電極電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述二維層狀材料片與所述電極之間為歐姆接觸關(guān)系。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述柔性襯底為高分子有機聚合物，所述高分子有機聚合物包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇和聚二甲基硅氧烷中的至少一種。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述二維層狀材料片包括過渡金屬硫化物和黑磷中的至少一種。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述探測電路包括驅(qū)動電路，所述驅(qū)動電路用于對所述二維層狀材料片施加偏置電壓。
6.如權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，所述探測電路還包括電信號放大電路和應(yīng)力探測電路，所述電信號放大電路用于放大所述二維層狀材料片中產(chǎn)生的電信號，所述應(yīng)力探測電路用于探測所述二維層狀材料片中被放大的電信號。
7.如權(quán)利要求1至6任意一項所述的裝置，其特征在于，所述凹槽是利用電子束曝光或雙束刻蝕的方式在所述硅襯底表面加工而成。
8.如權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述柔性襯底的厚度為10μm～30μm。
9.一種應(yīng)力探測矩陣系統(tǒng)，其特征在于，所述應(yīng)力探測矩陣系統(tǒng)包括襯底與若干個應(yīng)力探測裝置，所述若干個應(yīng)力探測裝置按照預(yù)設(shè)的排布方式排布于所述襯底的表面；
所述應(yīng)力探測裝置為權(quán)利要求1至8中任意一項所述的應(yīng)力探測裝置。
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