[發明專利]一種納米森林狀的V摻雜的Ni3 有效
| 申請號: | 201811156337.6 | 申請日: | 2018-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN109267089B | 公開(公告)日: | 2021-02-05 |
| 發明(設計)人: | 黃劍鋒;劉倩倩;馮亮亮;曹麗云;楊丹;張曉 | 申請(專利權)人: | 陜西科技大學 |
| 主分類號: | C25B11/04 | 分類號: | C25B11/04;C25B11/03;C25B1/04 |
| 代理公司: | 西安西達專利代理有限責任公司 61202 | 代理人: | 劉華 |
| 地址: | 710021 陜西省*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 納米 森林 摻雜 ni base sub | ||
1.一種納米森林狀的V摻雜的Ni3S2/NF自支撐電極的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
將清潔的泡沫鎳浸泡在含有0.05~0.2mol/L的六水合氯化鎳、0.0125~0.1mol/L的氯化釩、0.01~0.1mol/L的氟化銨、及0.125~0.35mol/L的尿素的前驅體溶液中,進行第一次水熱反應;將反應后的泡沫鎳浸泡在濃度為2~4mol/L的硫代乙酰胺的水溶液中,120~160℃進行第二次水熱反應,反應時間15~20h,得到納米森林狀的V摻雜的Ni3S2/NF自支撐電極。
2.根據權利要求1所述的一種納米森林狀的V摻雜的Ni3S2/NF自支撐電極的制備方法,其特征在于,所述第一次水熱反應的反應溫度為90~150℃,反應時間為6~15h,反應填充比控制在20~80%;第二次水熱反應的反應溫度為120~160℃,反應時間為15~24h,反應填充比控制在20~80%。
3.根據權利要求1或2所述的一種納米森林狀的V摻雜的Ni3S2/NF自支撐電極的制備方法,其特征在于,具體步驟包括:
1)將泡沫鎳浸入丙酮溶液中超聲清洗5~20min、然后轉移至2~4mol/L的鹽酸中進行超聲清洗5~20min,最后分別用乙醇與超純水交替沖洗2~3次,再在25~35℃下真空干燥10~14h;
2)配置前驅體溶液,該前驅體溶液中包含濃度為0.05~0.2mol/L的六水合氯化鎳、濃度為0.0125~0.1mol/L的氯化釩、濃度為0.01~0.1mol/L的氟化銨、和濃度為0.125~0.35mol/L的尿素的水溶液,在室溫下磁力攪拌20~40min得到澄清溶液A;將澄清溶液A和步驟1)處理好的泡沫鎳轉入高溫高壓水熱釜中,然后在90~150℃下反應6~15h,其中反應填充比應該控制在20~80%;水熱反應結束,將反應釜自然冷卻到室溫,然后將反應后冷卻的泡沫鎳取出,經過3次水洗和3次醇交替清洗后收集產物,并在25~35℃下,真空干燥3~5h;
3)稱取適量的硫代乙酰胺TAA加入到20~40ml的去離子水中,此時TAA的濃度為2~4mol/l,然后將步驟2)干燥后的泡沫鎳和TAA溶液一起轉移到高溫高壓水熱釜中,然后隨爐加熱到120~160℃下反應15~24h,其中反應填充比應該控制在20~80%。
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