[發明專利]一種太陽能HIT電池用低溫導電銀漿及其制備方法

有效

• 申請號: 201811156329.1
• 申請日: 2018-09-30
• 公開（公告）號: CN109273137B
• 公開（公告）日: 2021-11-19
• 發明（設計）人: 鄧水斌
• 申請（專利權）人: 東莞市銀屏電子科技有限公司
• 主分類號: H01B1/22
• 分類號: H01B1/22;H01B13/00;H01L31/0224
• 代理公司: 東莞市說文知識產權代理事務所(普通合伙) 44330
• 代理人: 孫樹棠

本發明涉及一種太陽能HIT電池用低溫導電銀漿及其制備方法，按以下步驟進行：①制備高分子樹脂載體，取45%～50%的固體丙烯酸改性環氧樹脂加入到50%～55%的二乙二醇丁醚醋酸酯溶劑中；②制備銀漿，取平均粒徑為1～1.2um、徑厚適中的餅狀銀粉，按銀粉87%～90%、步聚①制得的高分子環氧樹脂載體8%～11%加入高速分散機中，高速分散機進行分散得到初步均勻的一次載體,然后將載體倒入三輥機中進行研磨分散得到二次載體,把二次載體、封閉型異氰酸酯固化劑1.6%～1.8%、高分子分散劑0.3～0.5%加入到行星攪拌機及抽真空后除去氣泡得到導電銀漿漿料；③過濾漿料制備方法設計合理，低溫導電銀漿的導電性、粘度、印刷性、拉力等各項性能優越，能滿足太陽能HIT電池絲印柵極要求。

技術領域

本發明涉及導電銀漿領域，具體涉及一種太陽能HIT電池用低溫導電銀漿及其制備方法。

背景技術

異質結HIT(Hereto-junction with Intrinsic Thin-layer)太陽能電池（同時也簡稱HJT，SHJ，SJT等），通常以n型晶體硅作襯底，寬帶隙的非晶硅作發射極，該電池具有雙面對稱結構，n型硅襯底兩側兩層薄本征非晶硅層，正面一層P型非晶硅發射極層，背面一層n型非晶硅膜背表面場；在兩側非晶硅薄層上用濺射法沉積透明導電氧化物薄膜，最后制備導電柵極。

傳統采用濺射法制備導電柵極有成本高、工藝復雜、效率低下等缺點，而又由于HIT電池使用a-si構成PN結，HIT電池能在200℃以下的低溫完成，所以現在HIT電池的導電柵極能夠采用銀漿經絲網印刷工藝制備，具體做法是把銀漿倒入絲網印版的一端，用刮板對絲網印版上的銀漿部位施加一定壓力，同時朝絲網印版另一端勻速移動，銀漿在移動中被刮板從的網孔中擠壓到晶體硅上形成特定形狀的導電柵極。

銀漿的導電性、粘度、印刷性、拉力等是直接影響到HIT電池的導電柵極是否能正常使用，目前市場上銀漿的導電性、粘度、印刷性、拉力各性能并不是十分優越，縱所周知導電性受銀漿中銀粉含量影響，銀粉含量過小不能形成良好的接觸若低于闕值還不能導電，銀粉含量過多則不易分散容易團聚降低粘度、印刷性導致很難印制特定的形狀，而且又因為HIT電池在200℃以下的低溫完成，銀漿制備時沒有銀粉燒結過程，銀粉之間、銀與基材之間依靠有機樹脂進行黏結，銀粉拉力過小一般小于1N(傳統晶硅電池漿料采用高溫燒結，銀粉之間、銀與基材之間依靠表面熔融相互連接拉力大)，當受到大于1N的拉力時受力易撕裂。因此，有必要制備一種導電性、粘度、印刷性、拉力各性能都能滿足要求的低溫導電銀漿專供HIT電池使用。

發明內容

針對現有技術存在的問題，本發明提供了一種太陽能HIT電池用低溫導電銀漿及其制備方法，低溫導電銀漿綜合性能優越，具體技術方案如下：

一種太陽能HIT電池用低溫導電銀漿的制備方法，按以下步驟進行：

①制備高分子樹脂載體，取質量百分比為45%～50%的固體丙烯酸改性環氧樹脂加入到50%～55%的二乙二醇丁醚醋酸酯溶劑中，加熱至80℃后進行恒溫攪拌，至固體丙烯酸改性環氧樹脂完全溶解后，用400目網紗過濾除雜，得到低粘度的高分子環氧樹脂載體；

②制備銀漿，取平均粒徑為1～1.2um、徑厚適中的餅狀銀粉，按質量百分比銀粉87%～90%、步聚①制得的高分子環氧樹脂載體8%～11%加入高速分散機中，高速分散機進行分散得到初步均勻的一次載體,然后將載體倒入三輥機中進行研磨分散得到二次載體,把二次載體、封閉型異氰酸酯固化劑1.6%～1.8%、高分子分散劑0.3～0.5%加入到行星攪拌機及抽真空后除去氣泡，得到分散均勻粘度在260～300pa.s的導電銀漿漿料；

③過濾漿料，使用與印刷網版相對應目數的網紗過濾步驟②制得的導電銀漿漿料，對過濾后的導電銀漿漿料進行封裝得到單一組份的絲印低溫導電銀漿。

作為本發明的一種優選方案，所述封閉型異氰酸酯固化劑能在150℃時完全解封。