[發(fā)明專利]光學(xué)感測(cè)器及其形成方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811156105.0 | 申請(qǐng)日： | 2018-09-30 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN110970449B | 公開(kāi)（公告）日： | 2023-04-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李新輝;曾漢良;林學(xué)榮 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 世界先進(jìn)積體電路股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/146 | 分類號(hào)： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127 | 代理人： | 王天堯;任默聞 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)灣新竹*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光學(xué) 感測(cè)器 及其 形成 方法 | ||
1.一種光學(xué)感測(cè)器，其特征在于，包括：
一基板，包括一感測(cè)像素陣列，其中該感測(cè)像素陣列
包括多個(gè)感測(cè)像素；以及
一光準(zhǔn)直層，位于該基板之上，其中該光準(zhǔn)直層包括：
一圖案化晶種層，于該基板之上且露出該感測(cè)像素陣列；
多個(gè)透光柱，設(shè)置于該感測(cè)像素陣列之上，其中每個(gè)透光柱的側(cè)壁對(duì)準(zhǔn)每個(gè)感測(cè)畫(huà)素的側(cè)壁；
一金屬材料層，位于該圖案化晶種層之上且填充于所述透光柱之間；以及
一遮光層，位于該金屬材料層之上。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)感測(cè)器，其特征在于，該圖案化晶種層及該感測(cè)像素陣列在俯視圖中的形狀為互補(bǔ)。
3.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)感測(cè)器，其特征在于，該圖案化晶種層包括鈦、銅其中之一或任意組合。
4.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)感測(cè)器，其特征在于，所述透光柱由一透光材料所形成，并且該透光材料在300納米至1200納米波長(zhǎng)范圍下的光穿透率大于90％。
5.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)感測(cè)器，其特征在于，所述透光柱在俯視圖中為圓形、矩形、多邊形其中之一或任意組合。
6.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)感測(cè)器，其特征在于，所述透光柱的高寬比值在2至30的范圍。
7.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)感測(cè)器，其特征在于，每一透光柱對(duì)應(yīng)地設(shè)置于每一感測(cè)像素之上。
8.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)感測(cè)器，其特征在于，至少一透光柱覆蓋二個(gè)以上的感測(cè)像素。
9.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)感測(cè)器，其特征在于，該金屬材料層包括銅、鎳其中之一或任意組合。
10.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)感測(cè)器，其特征在于，該金屬材料層的厚度在50納米至300納米的范圍。
11.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)感測(cè)器，其特征在于，該遮光層為一樹(shù)脂遮光層，并且該樹(shù)脂遮光層在300納米至1200納米波長(zhǎng)范圍下的光穿透率小于1％。
12.一種光學(xué)感測(cè)器的形成方法，其特征在于，包括：
提供一基板，其中該基板具有一感測(cè)像素陣列，其中
該感測(cè)像素陣列包括多個(gè)感測(cè)像素；以及
形成一光準(zhǔn)直層于該基板之上，其中形成該光準(zhǔn)直層
于該基板之上的步驟包括：
形成一圖案化晶種層于該基板之上，其中該圖案化晶種層露出該感測(cè)像素陣列；
形成多個(gè)透光柱于該感測(cè)像素陣列之上；
在形成所述透光柱之后，形成一金屬材料層于該圖案化晶種層之上，以填充于所述透光柱之間；以及
形成一遮光層于該金屬材料層之上。
13.如權(quán)利要求12所述的光學(xué)感測(cè)器的形成方法，其特征在于，執(zhí)行一電鍍工藝以形成該金屬材料層于該圖案化晶種層之上并填充于所述透光柱之間。
14.如權(quán)利要求12所述的光學(xué)感測(cè)器的形成方法，其特征在于，在形成該遮光層于該金屬材料層之上之前，執(zhí)行一平坦化工藝以平坦化該金屬材料層，使該金屬材料層與所述透光柱的頂面齊平。
15.如權(quán)利要求12所述的光學(xué)感測(cè)器的形成方法，其特征在于，該圖案化晶種層及該感測(cè)像素陣列在俯視圖中的形狀為互補(bǔ)。
16.如權(quán)利要求12所述的光學(xué)感測(cè)器的形成方法，其特征在于，圖案化晶種層包括鈦、銅其中之一或任意組合。
17.如權(quán)利要求12所述的光學(xué)感測(cè)器的形成方法，其特征在于，所述透光柱由一透光材料所形成，并且該透光材料在300納米至1200納米波長(zhǎng)范圍下的光穿透率大于90％。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
